[发明专利]高效能的低温铝电镀

权利要求书

1.一种沉积铝的方法，包括：

将由铝合金形成的制品定位在电沉积溶液中，所述电沉积溶液包含：

铝卤化物；

有机氯化物盐；和

铝还原剂；

利用惰性气体毯覆所述电沉积溶液；

搅拌所述电沉积溶液；

在设置于所述电沉积溶液中的电极与所述制品之间产生电流；和

将纯铝结晶层沉积至所述制品的一或多个表面上。

2.如权利要求1所述的方法，其中所述有机氯化物盐是氯化咪唑、1-丁基-3-甲基氯化咪唑、1-乙基-3-甲基氯化咪唑、1-(1-丁基)氯化吡啶、或上述材料的组合。

3.如权利要求2所述的方法，其中所述铝卤化物是AlF₃、AlCl₃、AlBr₃、AlI₃、或上述卤化物的组合。

4.如权利要求3所述的方法，其中铝卤化物的浓度介于1摩尔/升与3摩尔/升之间。

5.如权利要求3所述的方法，其中所述电沉积溶液进一步包括溶剂，所述溶剂是由乙腈、吡咯、丙腈、丁腈、吡啶、或上述溶剂的组合所组成。

6.如权利要求5所述的方法，其中所述电沉积溶液中的铝卤化物的浓度介于1摩尔/升与5摩尔/升之间。

7.如权利要求1所述的方法，其中所述铝还原剂是LiAlH₄、二异丁基铝氢化物、三甲基铝氢化物、三乙基铝氢化物，或上述氢化物的组合。

8.如权利要求5所述的方法，其中所述电沉积溶液中的所述铝还原剂的浓度介于0.1摩尔/升与0.5摩尔/升之间。

9.如权利要求1所述的方法，其中所述电沉积溶液进一步包含碱金属卤化物，其中碱金属卤化物的浓度介于0.1摩尔/升与0.5摩尔/升之间。

10.如权利要求9所述的方法，其中所述碱金属卤化物是KF。

11.如权利要求1所述的方法，其中沉积所述纯铝结晶层包括：施加偏压电压至所述制品，所述偏压电压介于1伏特至100伏特之间。

12.如权利要求11所述的方法，其中所述偏压电压为脉冲式。

13.如权利要求11所述的方法，其中所述电极与所述制品之间的电流的极性是交替的。

14.如权利要求1所述的方法，其中铝沉积速率大于每小时3 µm。

15.一种沉积铝的方法，包括：

将铝合金制品定位在电沉积设备中，所述电沉积设备含有电沉积溶液，所述电沉积溶液包含：

AlCl₃，其中所述AlCl₃的浓度介于1摩尔/升与5摩尔/升之间；

有机氯化物盐；

铝还原剂，其中所述铝还原剂的浓度介于0.1摩尔/升与0.5摩尔/升之间；和

溶剂；

将介于1伏特与100伏特之间的偏压电压施加至所述铝合金制品；和

在所述铝合金制品上沉积纯铝结晶层。

16.如权利要求15所述的方法，其中所述有机氯化物盐是1-丁基-3-甲基氯化咪唑、1-乙基-3-甲基氯化咪唑、1-(1-丁基) 氯化吡啶、或上述材料的组合。

17.如权利要求15所述的方法，其中所述铝还原剂是LiAlH₄、二异丁基铝氢化物、三甲基铝氢化物、三乙基铝氢化物，或上述物质的组合。