[发明专利]等离子体处理装置用电极板及等离子体处理装置用电极板的再生方法

权利要求书

1.一种等离子体处理装置用电极板，其具有使等离子体生成用气体通过的通气孔，该等离子体处理装置用电极板的特征在于，

所述等离子体处理装置用电极板具有基材和设置于所述基材的至少一个表面的涂层，

所述基材由耐等离子体性比形成所述涂层的材料高的材料形成，

形成所述基材的材料为选自Y₂O₃、Al₂O₃及AlN中的一种或两种以上的混合物与SiC的混合物，

在所述基材中，以总计在3质量%以上且10质量%以下的范围内含有Y₂O₃、Al₂O₃及AlN，

形成所述涂层的材料为致密碳化硅，

所述通气孔的纵横比为3以上且50以下，

其中，所述纵横比为所述基材的厚度与所述通气孔的直径之比。

2.根据权利要求1所述的等离子体处理装置用电极板，其特征在于，

形成所述基材的材料为选自Y₂O₃、Al₂O₃及AlN中的一种或两种以上的混合物与SiC的混合物，

Y₂O₃的含量在3质量%以上且5质量%以下的范围内，Al₂O₃的含量在3质量%以上且5质量%以下的范围内，AlN的含量在3质量%以上且5质量%以下的范围内。

3.一种等离子体处理装置用电极板的再生方法，该等离子体处理装置用电极板具有使等离子体生成用气体通过的通气孔，该等离子体处理装置用电极板的再生方法的特征在于，

所述等离子体处理装置用电极板具有基材和设置于所述基材的至少一个表面的涂层，

所述涂层由致密碳化硅形成，所述基材由耐等离子体性高于所述致密碳化硅的材料形成，所述涂层的表面被等离子体消耗，

形成所述基材的材料为选自Y₂O₃、Al₂O₃及AlN中的一种或两种以上的混合物与SiC的混合物，

在所述基材中，以总计在3质量%以上且10质量%以下的范围内含有Y₂O₃、Al₂O₃及AlN，

所述等离子体处理装置用电极板的再生方法具备如下工序：

通过化学气相沉积法，将致密碳化硅层再涂布于所述等离子体处理装置用电极板的表面；及

去除涂布于所述等离子体处理装置用电极板的通气孔表面的所述致密碳化硅层，

所述通气孔的纵横比为3以上且50以下，

其中，所述纵横比为所述基材的厚度与所述通气孔的直径之比。