[发明专利]有源矩阵基板有效
申请号: | 201880011441.8 | 申请日: | 2018-02-06 |
公开(公告)号: | CN110291644B | 公开(公告)日: | 2022-11-01 |
发明(设计)人: | 宫本忠芳 | 申请(专利权)人: | 夏普株式会社 |
主分类号: | H01L29/786 | 分类号: | H01L29/786;G02F1/1345;G02F1/1368;G09F9/30 |
代理公司: | 北京市隆安律师事务所 11323 | 代理人: | 权鲜枝;张艳凤 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 有源 矩阵 | ||
1.一种有源矩阵基板,
具有:显示区域,其包含多个像素;以及非显示区域,其设置在上述显示区域的周边,
具备:基板;至少1个TFT,其支撑于上述基板,并且配置在上述非显示区域;以及周边电路,其包含上述至少1个TFT,
上述有源矩阵基板的特征在于,
上述至少1个TFT具有:
第1栅极电极;
栅极绝缘层,其覆盖上述第1栅极电极;
氧化物半导体层,其以隔着上述栅极绝缘层与上述第1栅极电极至少部分地重叠的方式配置在上述栅极绝缘层上;
源极电极,其以与上述氧化物半导体层的一个端部接触的方式配置在上述氧化物半导体层上;以及
漏极电极,其以与上述氧化物半导体层的另一个端部接触的方式配置在上述氧化物半导体层上,
在从上述基板的法线方向观看时,上述第1栅极电极具有相互相对的第1缘部和第2缘部,上述第1缘部和上述第2缘部在上述至少1个TFT的沟道宽度方向上横穿上述氧化物半导体层而延伸,上述第1缘部和上述第2缘部中的至少一方在与上述氧化物半导体层重叠的区域具有:在上述至少1个TFT的沟道长度方向上凹陷的第1凹部;以及与上述第1凹部在上述沟道宽度方向上相邻的第1部分,
在从上述基板的法线方向观看时,上述源极电极或上述漏极电极是与上述第1凹部的至少一部分以及上述第1部分的至少一部分重叠的,
在从上述基板的法线方向观看时,上述第1缘部和上述第2缘部中的一方在与上述氧化物半导体层重叠的区域具有上述第1凹部,另一方在与上述氧化物半导体层重叠的区域具有:在上述沟道长度方向上突出的第1凸部;以及位于上述第1凸部的两侧的2个切口部,
在从上述基板的法线方向观看时,上述源极电极或上述漏极电极是与上述第1凸部的至少一部分以及上述2个切口部的至少一部分重叠的。
2.根据权利要求1所述的有源矩阵基板,
上述第1凹部的上述沟道宽度方向的宽度为上述至少1个TFT的沟道宽度W的20%以上80%以下,上述第1凹部的深度为上述至少1个TFT的沟道长度L的20%以上80%以下。
3.根据权利要求1或2所述的有源矩阵基板,
在从上述基板的法线方向观看时,上述氧化物半导体层在上述源极电极与上述漏极电极之间具有与上述源极电极、上述漏极电极以及上述第1栅极电极中的任何一者均不重叠的偏移区域,
在从上述基板的法线方向观看时,上述偏移区域是与上述第1凹部的一部分重叠的。
4.根据权利要求1或2所述的有源矩阵基板,
在从上述基板的法线方向观看时,上述源极电极的与上述漏极电极相对的源极缘部和/或上述漏极电极的与上述源极电极相对的漏极缘部具有在上述沟道长度方向上凹陷的第2凹部,上述第2凹部是与上述第1凹部的至少一部分重叠的。
5.根据权利要求1或2所述的有源矩阵基板,
在从上述基板的法线方向观看时,上述源极电极的与上述漏极电极相对的源极缘部和上述漏极电极的与上述源极电极相对的漏极缘部中的一方具有在上述沟道长度方向上突出的第2凸部,另一方具有在上述沟道长度方向上凹陷的第2凹部,
上述第2凸部是与上述第1凸部的至少一部分重叠的,上述第2凹部是与上述第1凹部的至少一部分重叠的。
6.根据权利要求1或2所述的有源矩阵基板,
还具备配置在上述显示区域的透明电极,
上述至少1个TFT还具有隔着绝缘膜配置在上述氧化物半导体层上的第2栅极电极,
上述第2栅极电极与上述透明电极使用相同透明导电膜形成。
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