[发明专利]通过FZ法提拉单晶的方法和设备

权利要求书

1.一种通过FZ法提拉单晶(150)的方法，其中借助于电磁熔化装置(300)熔化多晶(100)，然后使其再结晶，所述方法包括：

在第一阶段(P₁)中，借助于所述熔化装置(300)熔化所述多晶(100)的下端，所述多晶的下端包括锥形区段(110)；

在第二阶段(P₂)中，使单晶晶种(140)附着至所述多晶(100)的所述下端，并从所述晶种(140)的上端开始熔化所述单晶晶种(140)；

在第三阶段(P₃)中，在所述晶种(140)的下区段和所述多晶(100)之间形成细颈区段(130)，所述细颈区段(130)的直径(d_D)小于所述晶种(140)的直径(d_I)；并且

在第四阶段(P₄)中，在所述细颈区段(130)和所述多晶(100)之间，形成所述单晶的锥形区段(135)，

其中，在达到所述第四阶段(P₄)之前，确定所述多晶(100)的转换位置(h')，在该转换位置所述多晶(100)相对于所述熔化装置(300)移动的速率在量上将要降低，并且通过以下过程确定所述转换位置(h')：

测量作为所述多晶的特征并且位于所述多晶(100)的锥形区段(110)的下端的位置(P_S)相对于固定参考点(P_B)的距离(d)，并且由所述距离(d)和中间位置(h)确定所述转换位置(h')，或者

确定所述多晶的中间位置(h)，在该中间位置，作为所述多晶的特征且位于所述多晶(100)的锥形区段(110)的下端的位置(P_S)在所述多晶(100)移动期间达到或超过相对于固定参考点(P_B)的预定距离(d)，由所述中间位置(h)确定所述转换位置(h')；以及

在所述第四阶段(P₄)中，当达到所述转换位置(h')时，所述多晶(100)相对于所述熔化装置(300)下降的速率在量上降低。

2.根据权利要求1所述的方法，其包括基于所述多晶(100)的特征直径或预定直径而确定作为所述多晶(100)的特征的位置(P_S)。

3.根据权利要求1或2所述的方法，其中在所述多晶(100)的所述锥形区段(110)的下端，作为所述多晶(100)的特征的位置(P_S)包括所述多晶(100)的锥形区段的倾斜角变化超过预定值的位置。

4.根据权利要求1或2所述的方法，其包括使用照相机(351)捕捉作为所述多晶(100)的特征的位置(P_S)，所述照相机设置在所述熔化装置(300)上方。

5.根据权利要求1或2所述的方法，其包括在所述第一阶段(P₁)中和/或在所述第二阶段(P₂)中确定所述转换位置(h')。

6.根据权利要求1或2所述的方法，其中所述多晶(100)相对于所述熔化装置(300)移动的速率在所述降低前为0.5 mm/min或更高，并且在所述降低后为小于0.5 mm/min。