[发明专利]光接收装置在审
申请号: | 201880011790.X | 申请日: | 2018-02-08 |
公开(公告)号: | CN110291638A | 公开(公告)日: | 2019-09-27 |
发明(设计)人: | 松本一治;五十岚崇裕;园田高大 | 申请(专利权)人: | 索尼半导体解决方案公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;G01T1/20;G01T7/00;H01L27/144;H04N5/32;H04N5/374 |
代理公司: | 北京正理专利代理有限公司 11257 | 代理人: | 张雪梅 |
地址: | 日本国神奈川*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 读出 像素 光接收装置 单元元件 放大器 光接收灵敏度 读出信号 列方向 分辨率 基板 辐射 检测 损害 | ||
1.一种光接收装置,其包括
设置在基板上方的多个单元元件,所述单元元件中的每一个包括
设置在m行和n列中的多个像素,以及
从多个像素中的设置在列方向上的所述多个像素中顺序地读出信号的读出部分,
其中所述读出部分的数目至少与列的数目相同。
2.根据权利要求1所述的光接收装置,
其中所述读出部分包括QV放大器。
3.根据权利要求2所述的光接收装置,
其中所述QV放大器设置在由所述多个像素中的两行和两列中的四个像素所围绕的交叉点处。
4.根据权利要求2所述的光接收装置,
其中所述QV放大器设置在其中所述多个像素中的四个像素设置在两行和两列中的区域的中心处。
5.根据权利要求2所述的光接收装置,其中
所述读出部分还包括缓冲器,并且
所述缓冲器设置在所述像素之间的区域中。
6.根据权利要求1所述的光接收装置,
其中所述m为三个或更多个,并且所述n为两个或更多个。
7.根据权利要求1所述的光接收装置,
其中所述单元元件包括硅。
8.根据权利要求1所述的光接收装置,
其中所述光接收装置检测辐射。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的