[发明专利]环绕式栅极结构和形成环绕式栅极结构的方法

权利要求书

1.一种方法，包括：

通过在穿过绝缘体上硅(SOI)晶片的半导电层和掩埋氧化物层的第一沟槽中以及在穿过所述半导电层和所述掩埋氧化物层的第二沟槽中沉积第一材料来形成第一栅极结构，所述第一栅极结构被形成在沟道结构的至少三个侧面附近，其中所述沟道结构包括第一氧化物层、第二氧化物层和在所述第一氧化物层与所述第二氧化物层之间的沟道区域；以及

在所述沟道结构的第四侧面附近形成第二栅极结构。

2.根据权利要求1所述的方法，还包括：

穿过所述半导电层和所述掩埋氧化物层来蚀刻所述第一沟槽；以及

穿过所述半导电层和所述掩埋氧化物层来蚀刻所述第二沟槽。

3.根据权利要求1所述的方法，还包括将载体晶片耦合到所述第一栅极结构，使得所述半导电层位于所述掩埋氧化物层与所述载体晶片之间。

4.根据权利要求3所述的方法，还包括去除所述SOI晶片的处理材料的至少一部分以暴露所述第二氧化物层。

5.根据权利要求4所述的方法，其中形成所述第二栅极结构包括在所述第二氧化物层上沉积第二材料。

6.根据权利要求3所述的方法，还包括：

去除所述SOI晶片的处理材料；以及

减薄所述掩埋氧化物层以形成减薄的掩埋氧化物层，所述减薄的掩埋氧化物层包括与所述第二氧化物层相对应的部分。

7.根据权利要求6所述的方法，其中形成所述第二栅极结构包括在所述第二氧化物层上沉积第二材料。

8.根据权利要求7所述的方法，其中所述第二氧化物层位于所述第一栅极结构的相对的侧面之间。

9.根据权利要求1所述的方法，其中所述半导电层包括单晶硅层，并且其中所述掩埋氧化物层邻近所述单晶硅层。

10.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一氧化物层具有不同于所述第二氧化物层的第二厚度的第一厚度。

11.一种方法，包括：

通过在穿过绝缘体上硅(SOI)晶片的半导电层和掩埋氧化物层的第一沟槽中以及在穿过所述半导电层和所述掩埋氧化物层的第二沟槽中沉积第一材料来形成第一栅极结构，所述第一栅极结构被形成在沟道结构的至少第一侧面附近，所述沟道结构包括第一氧化物层、第二氧化物层和在第一氧化物层与第二氧化物层之间的沟道区域；以及

在所述沟道结构的至少第二侧面附近并且与所述第一栅极结构接触地形成第二栅极结构，使得所述第一栅极结构和所述第二栅极结构一起二维地围绕所述沟道结构的至少一部分。

12.根据权利要求11所述的方法，还包括：

穿过所述半导电层和所述掩埋氧化物层来蚀刻所述第一沟槽，其中所述沟道区域由所述半导电层的一部分形成；以及

穿过所述半导电层和所述掩埋氧化物层来蚀刻所述第二沟槽。

13.根据权利要求11所述的方法，还包括将载体晶片耦合到所述第一栅极结构，使得所述半导电层位于所述掩埋氧化物层与所述载体晶片之间。

14.根据权利要求13所述的方法，还包括：

去除所述SOI晶片的处理材料；以及

减薄所述掩埋氧化物层以形成减薄的掩埋氧化物层，所述减薄的掩埋氧化物层包括与所述第二氧化物层相对应的部分。

15.根据权利要求14所述的方法，其中形成所述第二栅极结构包括在所述第二氧化物层上沉积第二材料。

16.根据权利要求15所述的方法，其中所述第二氧化物层位于所述第一栅极结构的相对的侧面之间，并且其中所述第二栅极结构的至少一部分位于所述第一栅极结构的相对的侧面之间。