[发明专利]半导体激光模块在审

专利信息
申请号: 201880011950.0 申请日: 2018-02-13
公开(公告)号: CN110337602A 公开(公告)日: 2019-10-15
发明(设计)人: 石毛悠太;有贺麻衣子;岩间真木 申请(专利权)人: 古河电气工业株式会社
主分类号: G02B6/42 分类号: G02B6/42;H01S5/022
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 李国华
地址: 日本国*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 光纤 光学部件 激光 半导体激光模块 半导体激光元件 光反射 入射 外周 芯部 包覆层部 光透射性 输出激光 收纳 粗糙面 固定剂 波长 导波 壳体 外部 配置 吸收
【权利要求书】:

1.一种半导体激光模块,其特征在于,具备:

半导体激光元件,输出激光;

光纤,具备芯部、和形成在芯部的外周的包覆层部,从一端入射所述激光,并将该激光向该半导体激光模块的外部导波;

光学部件,被配置于所述光纤的外周,在所述激光的波长下具有光透射性,所述光学部件对所述光纤进行固定;

第一固定剂,对所述光学部件与所述光纤进行固定安装;以及

壳体,将所述半导体激光元件和所述光纤的入射所述激光一侧的一端收纳于内部,

在所述光学部件的周围形成光反射减少区域,所述光反射减少区域吸收所述激光并且被处理成粗糙面。

2.根据权利要求1所述的半导体激光模块,其特征在于,

所述光反射减少区域被配置于所述光学部件的外周,且形成于对该光学部件进行固定的固定构件的内面。

3.根据权利要求2所述的半导体激光模块,其特征在于,

所述固定构件具有以下构件之中的至少一个:

包括Cu、Ni、Al、不锈钢或Fe的金属构件;

具备包括Ni、Cr、Ti的金属或包括C的表面镀层的构件;

包括AlN、BeO、ZrO2、SiC或Al2O3的陶瓷构件;或者

具备覆盖包括AlN、BeO、ZrO2、SiC或Al2O3的表面的陶瓷层的构件。

4.根据权利要求1所述的半导体激光模块,其特征在于,

所述光反射减少区域形成于所述壳体的内面。

5.根据权利要求2~4中任一项所述的半导体激光模块,其特征在于,

所述光反射减少区域是通过对所述壳体的内面或者所述固定构件的内面照射脉冲激光而被表面处理过的区域。

6.根据权利要求2~4中任一项所述的半导体激光模块,其特征在于,

所述光反射减少区域选择性地形成于所述壳体的内面或者所述固定构件的内面。

7.根据权利要求6所述的半导体激光模块,其特征在于,

所述光反射减少区域是通过向所述壳体的内面或者所述固定构件的内面选择性地照射脉冲激光而被表面处理过的区域。

8.根据权利要求2~4中任一项所述的半导体激光模块,其特征在于,

所述光反射减少区域是通过根据位置不同而对所述壳体的内面或者所述固定构件的内面照射不同强度的脉冲激光从而被表面处理过的区域。

9.根据权利要求1~8中任一项所述的半导体激光模块,其特征在于,

所述光反射减少区域形成为:从所述光纤的所述激光的入射端侧朝着所述光纤的所述激光的出射端侧,光吸收率连续性地或者分段性地升高。

10.根据权利要求1~8中任一项所述的半导体激光模块,其特征在于,

所述光反射减少区域周期性地形成,并且形成为:从所述光纤的所述激光的入射端侧朝着所述光纤的所述激光的出射端侧,光吸收率升高。

11.根据权利要求1~8中任一项所述的半导体激光模块,其特征在于,

所述光反射减少区域离散性地形成,并且形成为:从所述光纤的所述激光的入射端侧朝着所述光纤的所述激光的出射端侧,间隔缩窄。

12.根据权利要求1~11中任一项所述的半导体激光模块,其特征在于,

所述光纤在所述激光的入射端侧具备从所述光学部件突出的突出部。

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