[发明专利]半导体器件

权利要求书

1.一种半导体器件(10)，包括：

-半导体本体(11)，

-导电通孔(12)，其延伸通过所述半导体本体(11)的至少一部分，其中，所述通孔(12)具有在第一横向方向(x)上给出的横向尺寸，所述第一横向方向(x)垂直于由所述通孔(12)的主延伸轴给出的垂直方向(z)，并且其中，所述通孔(12)具有顶侧(13)和背离所述顶侧(13)的底侧(14)，

-导电的蚀刻停止层(15)，其被布置在所述通孔(12)的底侧(14)处的与所述第一横向方向(x)平行的平面中，以及

-至少一个导电接触层(16)，其位于所述通孔(12)的底侧(14)处的与所述第一横向方向(x)平行的平面中，其中：

-所述蚀刻停止层(15)在所述第一横向方向(x)上的横向范围大于所述通孔(12)的横向尺寸，

-所述接触层(16)在所述第一横向方向(x)上的横向范围小于所述通孔(12)的横向尺寸，

-所述蚀刻停止层(15)在所述垂直方向(z)上被布置在所述导电通孔(12)与所述接触层(16)之间，

-所述至少一个接触层(16)中的至少一个在第二横向方向(y)上的横向范围大于所述通孔(12)在所述第二横向方向(y)上的横向范围，以及

-所述至少一个接触层(16)中的一个在所述第二横向方向(y)上朝向所述半导体器件(10)的集成电路(18)的电接触延伸。

2.根据权利要求1所述的半导体器件(10)，其中，所述接触层(16)在所述第一横向方向(x)上的横向范围为10μm到39μm。

3.根据权利要求1或2所述的半导体器件(10)，其中，所述至少一个接触层(16)中的至少一个在垂直方向(z)上的厚度大于所述蚀刻停止层(15)的厚度。

4.根据权利要求1或2所述的半导体器件(10)，其中，所述半导体器件(10)包括导电的顶部接触部(32)，其位于半导体器件(10)的背离所述通孔(12)的顶侧(13)的顶部接触侧(33)，其中，所述顶部接触部(32)在垂直方向(z)上的厚度分别大于所述蚀刻停止层(15)的厚度和所述接触层(16)的厚度。

5.根据权利要求1或2所述的半导体器件(10)，其中，所述蚀刻停止层(15)，以及所述至少一个接触层(16)中的至少一个在垂直方向(z)上具有相同的厚度。

6.根据权利要求1或2所述的半导体器件(10)，其中，所述半导体器件(10)包括至少两个接触层(16)。

7.根据权利要求1或2所述的半导体器件(10)，其中，所述蚀刻停止层(15)和所述至少一个接触层(16)通过至少一个导电连接(17)电连接。

8.根据权利要求1或2所述的半导体器件(10)，其中，所述蚀刻停止层(15)和所述至少一个接触层(16)中的至少一者与所述半导体器件(10)的集成电路(18)电连接。

9.根据权利要求1或2所述的半导体器件(10)，其中，所述至少一个接触层(16)中的至少一个是结构化的层，其由非导电材料(22)以形成栅格的方式构成。

10.根据权利要求1或2所述的半导体器件(10)，其中，在所述通孔(12)的底侧(14)处的与所述第一横向方向(x)平行的平面中布置有至少一个导电的中间层(19)，并且所述中间层(19)在所述第一横向方向(x)上的横向范围等于或大于所述通孔(12)的横向尺寸。

11.根据权利要求10所述的半导体器件(10)，其中，所述中间层(19)在垂直方向(z)上被布置在所述蚀刻停止层(15)与所述接触层(16)之间。

12.根据权利要求1或2所述的半导体器件(10)，其中，所述导电通孔(12)由沟槽(20)形成，所述沟槽(20)在沟槽(20)的内壁(21)上至少部分地覆盖有导电接触材料(28)。