[发明专利]X射线源和用于控制X射线辐射的方法

权利要求书

1.一种用于控制X射线辐射的方法，包括：

产生电子束；

将靶元件定位在所述电子束的路径中；

提供在所述电子束的发生源和所述靶元件之间延伸的漂移管；

使所述电子束穿过保持在真空压力的所述漂移管的封闭的伸长长度从所述电子束的发生源行进到所述靶元件；

作为所述电子束与所述靶元件相互作用的结果，产生X射线辐射；

使所述X射线辐射与设置在所述靶元件附近的束形成器结构相互作用以形成X射线束；

通过选择性地改变所述电子束与所述靶元件相交的位置来控制所述X射线束的束图案和方向中的至少一个，以确定所述X射线辐射与所述束形成器结构的相互作用；和

使用所述束形成器的至少一个屏蔽壁，将所述靶元件至少部分地分成多个靶元件扇区并吸收所述X射线辐射的一部分。

2.根据权利要求1所述的方法，还包括通过用电子束转向单元使所述电子束转向来选择性地改变所述位置。

3.根据权利要求1所述的方法，其中选择性地改变所述位置用于间接地控制由所述束形成器吸收的所述X射线束的所述部分。

4.根据权利要求1所述的方法，还包括使用所述至少一个屏蔽壁来形成屏蔽隔室，所述屏蔽隔室，当所述电子束和与所述屏蔽隔室相关联的所述靶元件扇区相交时，至少部分地限制所述X射线辐射的辐射方向的范围。

5.根据权利要求1所述的方法，还包括通过控制所述电子束以在一个或多个所述靶元件扇区中选择性地与所述靶元件相交来确定所述方向。

6.根据权利要求5所述的方法，还包括通过选择性地选择所述电子束与所述靶元件在一个或多个所述靶元件扇区内相交的位置来控制所述束图案。

7.根据权利要求5所述的方法，还包括通过选择性地改变当所述电子束与一个或多个所述靶元件扇区相交时使用的电子束发生器电压和电子束停留时间中的至少一个来选择性地控制由所述X射线束在一个或多个不同方向传输的X射线剂量。

8.根据权利要求1所述的方法，还包括选择所述靶元件，以包括设置在基底上的一层靶材料。

9.根据权利要求8所述的方法，其中所述基底包括金刚石。

10.一种X射线源，包括：

电子束发生器EBG，其被配置为产生电子束；

靶元件，其设置在距所述EBG预定距离处并且定位成拦截所述电子束，所述靶元件响应于所述电子束以产生X射线辐射；

设置在所述EBG和所述靶元件之间的漂移管，所述EBG被配置为使所述电子束穿过保持在真空压力的所述漂移管的封闭的伸长长度从所述EBG行进到所述靶元件；束形成器，其设置在所述靶元件附近，并且包括与所述X射线辐射相互作用的材料以形成X射线束；和

EBG控制系统，其被配置为通过选择性地改变所述电子束与所述靶元件相交的位置来选择性地控制所述X射线束的束图案和方向中的至少一个，以确定所述X射线辐射与所述束形成器结构的相互作用，

其中所述束形成器包括至少一个屏蔽壁，所述屏蔽壁包括被配置为吸收所述X射线辐射的一部分的高Z材料，并布置成至少部分地将所述靶元件分成多个靶元件扇区。

11.根据权利要求10所述的X射线源，其中所述EBG控制系统被配置为通过利用电子束转向单元使所述电子束转向来选择性地改变所述位置。

12.根据权利要求10所述的X射线源，其中所述EBG控制系统通过选择性地改变所述电子束与所述靶元件相交的位置来间接地控制由所述束形成器吸收的所述X射线束的所述部分。