[发明专利]用于设备阵列的灵活控制系统和方法有效
申请号: | 201880012092.1 | 申请日: | 2018-02-15 |
公开(公告)号: | CN110447084B | 公开(公告)日: | 2021-10-15 |
发明(设计)人: | 亚瑟·S·莫里斯;克里斯托夫·马斯;彼得·马伊莫内;约翰·斯莱顿·麦基洛普 | 申请(专利权)人: | 维斯普瑞公司 |
主分类号: | H01G7/00 | 分类号: | H01G7/00;G11C16/06 |
代理公司: | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人: | 王小衡;胡彬 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 设备 阵列 灵活 控制系统 方法 | ||
本主题涉及用于控制可以独立地处于第一状态或第二状态的双状态元件的阵列的设备、系统和方法。与多个双状态元件进行通信的非易失性存储器被配置为:接收输入数字控制字,所述输入数字控制字对非易失性存储器内的位置进行寻址;并将在存储器内所寻址的位置处存储的多个阵列控制字中的一个输出给多个双状态元件,其中阵列控制字将多个双状态元件的预定组合设置为处于第一状态和第二状态,并且其中处于第一状态和第二状态的多个双状态元件的预定组合最佳地实现了对应于输入数字控制字的阵列的期望行为。
优先权声明
本申请要求2017年2月15日提交的美国临时专利申请序列号62/459,575的权益,其公开内容通过引用其整体并入本文。
技术领域
本文公开的主题总体上涉及可切换设备的阵列。更具体地,本文公开的主题涉及用于控制这种阵列中的可切换设备的致动的系统和方法。
背景技术
可编程电容器阵列可用于通过改变电容器的电容值来调谐电路的响应,从而相应地产生不同的行为。在许多应用中,可能需要严格控制设定值以满足系统要求并优化整体性能。然而,一般而言,虽然通常使用一系列工艺来制造这种电容器,但是由于诸如速率、化学性质、温度和时序的因素,所有工艺都表现出变化。结果是,所构建的基本上所有的可编程电容器具有一系列值(例如,最大电容值、最小电容值、设定值之间的电容步长)。对于一些应用,这种范围可能是可接受的,但是当需要更为精确的响应时,希望的是将电容值的变化最小化。
为了解决这些问题,已经进行了在制造工艺中减少变化的尝试,但是提高性能标准通常要求对生产工艺施加更精确的控制或者丢弃不满足更高标准的组件。这两种方法都增加了生产组件的成本。可替换地,可以将电容器设计成降低设备电容对工艺变化的敏感度,但是在所有设备配置和/或应用中这样做是不可能的。结果是,希望降低设备性能的变化而不显著地增加制造成本或者要求组件设计仅受限于对工艺可变性不太敏感的那些配置。
发明内容
根据本公开内容,提供了用于控制双状态元件阵列的设备、系统和方法。在一个方面,提供一种用于控制双状态元件阵列的方法,双状态元件可以独立地处于第一状态或第二状态。所述方法可以包括:接收与双状态元件阵列的期望的全部组合活动相对应的输入数字控制字;基于输入数字控制字对非易失性存储器内的位置进行寻址,其中所述位置存储多个阵列控制字中的一个,所述多个阵列控制字与处于第一状态和第二状态的双状态元件的预定组合相对应;以及将多个阵列控制字中的一个应用于双状态元件阵列,以控制所述阵列设置处于第一状态和第二状态的双状态元件的预定组合。处于第一状态和第二状态的双状态元件的预定组合最佳地实现了双状态元件阵列的期望的全部组合活动。
在另一个方面,提供了一种可调谐组件,其中,多个双状态元件被布置在功能阵列中,其中每个双状态元件可以独立地处于第一状态或第二状态。与多个双状态元件通信的非易失性存储器被配置为:接收输入数字控制字,所述输入数字控制字对所述非易失性存储器内的位置进行寻址并将所述存储器内被寻址的位置处存储的多个阵列控制字中的一个输出至多个双状态元件。在这种配置中,所述阵列控制字将多个双状态元件的预定组合设置为处于第一状态和第二状态,其中处于所述第一状态和所述第二状态的多个双状态元件的预定组合最佳地实现了与输入数字控制字相对应的阵列的期望行为。
尽管上文已经陈述了本文公开的主题的一些方面,并且这些方面全部或部分地由当前公开的主题来实现,但是当结合附图进行描述时,其他方面将变得明显,如下文最佳描述的。
附图说明
通过下面的详细描述将更容易地理解本主题的特征和优点,该详细描述应当结合仅通过解释性和非限制性的示例所给出的附图来阅读,并且在附图中:
图1和2是根据当前公开的主题的实施例的可调谐组件的示意图;
图3是示出了根据当前公开的主题的实施例的一组输入数字控制字到可调谐组件的相应阵列控制字的映射的图表;
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