[发明专利]离子方向性ESC

说明书

提供了一种用于在半导体处理室内支撑衬底的衬底支撑件。提供了衬底支撑体。至少一个电阻加热元件嵌入在所述衬底支撑体中或所述衬底支撑体上，其包括在所述衬底内或所述衬底上的第一加热电流路径以及在所述衬底内或所述衬底上的第二加热电流路径，其中所述第一加热电流路径距所述第二加热电流路径在4mm内，并且流过所述第一电流路径的所述电流与流过所述第二加热电流路径的电流方向相反。

相关申请的交叉引用

本申请要求2017年2月16日提交的美国申请No.15/435,046的优先权，其全部内容通过引用并入本发明。

技术领域

本公开涉及半导体设备的制造。更具体地，本公开涉及用于制造半导体设备的等离子体处理室。

背景技术

在半导体晶片处理期间，半导体晶片由卡盘支撑，卡盘可具有温度控制。温度控制可以由电阻加热元件提供。

发明内容

为了实现上述目的并根据本公开的目的，提供了一种用于在半导体处理室内支撑衬底的衬底支撑件。提供了衬底支撑体。至少一个电阻加热元件嵌入在所述衬底支撑体中或所述衬底支撑体上，其包括在所述衬底内或所述衬底上的第一加热电流路径以及在所述衬底内或所述衬底上的第二加热电流路径，其中所述第一加热电流路径距所述第二加热电流路径在4mm内，并且流过所述第一电流路径的所述电流与流过所述第二加热电流路径的电流方向相反。

在另一种实现形式中，提供了一种用于在半导体处理室内支撑衬底的衬底支撑件。提供了衬底支撑体。至少一个电阻加热元件嵌入在所述衬底支撑体中或所述衬底支撑体上，其包括在所述衬底支撑体内或所述衬底支撑体上的第一加热电流路径以及在所述衬底内或所述衬底上的第二加热电流路径，所述第二加热电流路径反向平行于所述第一加热电流路径，并且所述第二加热电流路径距所述第一加热电流路径在4mm内。

本公开的这些和其他特征将下文在本公开的详细描述中并结合下面的附图更详细地描述。

附图说明

本公开在附图中的图形是通过举例的方式而不是通过限制的方式示出，其中相同的附图标记表示类似的元件，并且其中：

图1示意性示出了可使用一实施方案的等离子体处理系统的示例。

图2是根据一实施方案的具有加热元件的ESC的顶部示意图。

图3是用于一实施方案的热电源的电子控制装置的电气示意图。

图4是在另一实施方案中具有加热元件的ESC的顶部示意图。

图5是在另一实施方案中具有加热元件的ESC的顶部示意图。

具体实施方式

现在将参照如附图中所示的其几个优选的实施方式详细描述本公开。在下面的描述中，阐述了许多具体细节以便彻底理解本公开。然而，对本领域的技术人员将显而易见的是，在没有部分或所有这些具体细节的情况下可以实现本公开。在其他情况下，没有详细描述众所周知的工艺步骤和/或结构从而避免不必要地使本公开难以理解。