[发明专利]用于监测光刻制造过程的方法和设备有效
申请号: | 201880012504.1 | 申请日: | 2018-01-03 |
公开(公告)号: | CN110300929B | 公开(公告)日: | 2021-10-22 |
发明(设计)人: | E·P·施密特-威尔;K·巴塔查里亚;W·T·特尔;弗兰克·斯塔尔斯;L·M·勒瓦斯尔 | 申请(专利权)人: | ASML荷兰有限公司 |
主分类号: | G03F7/20 | 分类号: | G03F7/20;G03F9/00;G01N21/93 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 张启程 |
地址: | 荷兰维*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 监测 光刻 制造 过程 方法 设备 | ||
1.一种用于监测光刻过程的方法,包括:
获得与由衬底支撑件支撑的衬底相关的高度变化数据;
通过所述高度变化数据拟合回归,所述回归近似所述衬底的形状;
确定表示所述高度变化数据和所述回归之间的差的残差数据;
基于所述衬底支撑件的已知特征对所述残差数据去卷积,以获得去卷积的残差数据;和
随时间监测所述去卷积的残差数据。
2.根据权利要求1所述的方法,其中,所述去卷积的残差数据包括与衬底边缘相关的至少一个子组和与衬底中心相关的至少一个子组。
3.根据权利要求2所述的方法,其中,将所述与所述衬底中心相关的至少一个子组去卷积成与所述衬底支撑件上的突节的部位相关的第一中心子组和与所述衬底中心的残差数据的剩余部分相关的第二中心子组。
4.根据权利要求1所述的方法,其中,所述对所述残差数据去卷积的步骤包括将至少一个滤波器应用于所述残差数据。
5.根据权利要求1所述的方法,包括基于所述监测所述残差数据随时间的变化安排维护动作的步骤。
6.根据权利要求5所述的方法,其中,所述维护动作包括更换所述衬底支撑件。
7.根据权利要求5所述的方法,包括:在所述残差数据中观察到指示污染的事件的情况下,所述维护动作包括清洁所述衬底支撑件。
8.根据权利要求7所述的方法,其中,所述事件包括在所述残差数据随时间变化中的尖峰。
9.根据权利要求7所述的方法,包括:
确定所述污染相对于通过所述光刻过程施加的产品布局的部位;和
确定所述污染对产出的影响。
10.根据权利要求1所述的方法,包括获得与由所述衬底支撑件支撑的至少一个监测衬底相关的监测高度变化数据的初始步骤,所述监测衬底没有通过所述光刻过程施加至所述监测衬底的产品。
11.根据权利要求1所述的方法,包括以下步骤:矢量化所述残差数据以获得等效矢量图,并使用所述矢量图以确定任意衬底支撑件变化对重叠的影响。
12.一种光刻设备,包括:
水平传感器,所述水平传感器能够操作以测量与衬底相关的高度变化数据;
衬底支撑件,所述衬底支撑件能够操作以支撑所述衬底;和
处理器,所述处理器能够操作以:
通过所述高度变化数据拟合回归,所述回归近似所述衬底的形状;
确定表示所述高度变化数据和所述回归之间的差的残差数据;
基于所述衬底支撑件的已知特征对所述残差数据去卷积以获得去卷积的残差数据;和
随时间监测所述去卷积的残差数据。
13.一种存储介质,其上储存有软件,当运行计算机时,所述软件使得所述计算机执行权利要求1所述的方法的步骤。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于ASML荷兰有限公司,未经ASML荷兰有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201880012504.1/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:量测方法、设备和计算机程序
- 下一篇:凹版的制造方法及凹版制造装置