[发明专利]氧化物半导体膜、薄膜晶体管、氧化物烧结体以及溅射靶

权利要求书

1.一种氧化物半导体膜，其特征在于，以下述原子比含有In、Ga以及Sn，

0.01≦Ga/(In+Ga+Sn)≦0.30…(1)

0.01≦Sn/(In+Ga+Sn)≦0.40…(2)

0.55≦In/(In+Ga+Sn)≦0.98…(3)，

且以下述原子比含有稀土元素X，

0.03≦X/(In+Ga+Sn+X)≦0.25…(4)。

2.如权利要求1所述的氧化物半导体膜，其特征在于，

该氧化物半导体膜为无定形状态。

3.如权利要求1或2所述的氧化物半导体膜，其特征在于，

Ga的比例[Ga/(In+Ga+Sn)]以原子比表示为0.02≤Ga/(In+Ga+Sn)≤0.25。

4.如权利要求3所述的氧化物半导体膜，其特征在于，

Ga的比例[Ga/(In+Ga+Sn)]以原子比表示为0.03≤Ga/(In+Ga+Sn)≤0.20。

5.如权利要求1或2所述的氧化物半导体膜，其特征在于，

Sn的比例[Sn/(In+Ga+Sn)]以原子比表示为0.02≤Sn/(In+Ga+Sn)≤0.35。

6.如权利要求5所述的氧化物半导体膜，其特征在于，

Sn的比例[Sn/(In+Ga+Sn)]以原子比表示为0.03≤Sn/(In+Ga+Sn)≤0.30。

7.如权利要求1或2所述的氧化物半导体膜，其特征在于，

In的比例[In/(In+Ga+Sn)]以原子比表示为0.60≤In/(In+Ga+Sn)≤0.96。

8.如权利要求7所述的氧化物半导体膜，其特征在于，

In的比例[In/(In+Ga+Sn)]以原子比表示为0.60≤In/(In+Ga+Sn)≤0.94。

9.如权利要求1或2所述的氧化物半导体膜，其特征在于，

In的比例[In/(In+Ga+Sn)]以原子比表示为0.85以上的情况下，稀土元素X的比例[X/(In+Ga+Sn+X)]以原子比表示为0.03以上。

10.如权利要求9所述的氧化物半导体膜，其特征在于，

In的比例[In/(In+Ga+Sn)]以原子比表示为0.85以上的情况下，稀土元素X的比例[X/(In+Ga+Sn+X)]以原子比表示为0.04以上。

11.如权利要求9所述的氧化物半导体膜，其特征在于，

In的比例[In/(In+Ga+Sn)]以原子比表示为0.85以上的情况下，稀土元素X的比例[X/(In+Ga+Sn+X)]以原子比表示为0.05以上。

12.如权利要求9所述的氧化物半导体膜，其特征在于，

In的比例[In/(In+Ga+Sn)]以原子比表示为0.85以上的情况下，稀土元素X的比例[X/(In+Ga+Sn+X)]以原子比表示为0.25以下。

13.如权利要求1或2所述的氧化物半导体膜，其特征在于，

In的比例[In/(In+Ga+Sn)]以原子比表示为0.70以下的情况下，稀土元素X的比例[X/(In+Ga+Sn+X)]以原子比表示为0.25以下。

14.如权利要求13所述的氧化物半导体膜，其特征在于，

In的比例[In/(In+Ga+Sn)]以原子比表示为0.70以下的情况下，稀土元素X的比例[X/(In+Ga+Sn+X)]以原子比表示为0.20以下。