[发明专利]无电解镀敷工艺

说明书

本发明的目的在于提供一种无电解镀敷工艺，在铜材料的表面依次形成镀镍被膜和镀金被膜时能减少镀镍被膜的膜厚，且能够得到具有优异的封装特性的被膜。为了解决上述问题，提供一种无电解镀敷工艺，通过无电解镀敷法在铜材料的表面依次形成镀镍被膜和镀金被膜，该无电解镀敷工艺的特征在于，包括：通过无电解触击镀敷法在铜材料的表面形成镀镍被膜的工序、和通过还原型无电解镀敷法形成镀金被膜的工序。

技术领域

本发明涉及一种通过无电解镀敷法在铜材料的表面形成镀金被膜的无电解镀敷工艺。

背景技术

近年，一方面针对电子设备的高功能化和多功能化的要求增高，另一方面用于这些电子设备的树脂基板、陶瓷基板、晶片基板等电子电路基板也需要进一步轻薄短小化。由于为了应对该轻薄短小化需要高密度封装，因此需要能够实现高密度封装的表面处理技术。而且，在电子电路基板的技术领域中，确立了使用焊锡或引线接合(Wire bonding)的封装技术作为接合封装部件的技术。

为确保封装时的连接可靠性，对电子电路基板上的电路图案的封装部分即配线垫片，实施了镀敷处理作为表面处理。例如，在由低电阻的铜等金属形成的电路图案上，通过镀敷处理依次形成镀镍被膜和镀金被膜。以下，将依次形成镀镍被膜和镀金被膜的被膜记载为“Ni/Au被膜”。形成镀镍被膜是为了防止铜向镀金被膜扩散，形成镀金被膜是为了得到良好的封装特性。

而且，也已知在镀镍被膜和镀金被膜之间形成钯被膜的技术。以下，将依次形成镀镍被膜、镀钯被膜和镀金被膜的被膜记载为“Ni/Pd/Au被膜”。形成钯被膜是为了在热处理镀敷基板时防止镍向镀金被膜扩散。在镀镍被膜上形成镀钯被膜时，能够进行镀镍被膜的薄膜化。

作为上述镀敷处理，电解镀敷工艺是主流，但是对于电解镀敷工艺无法应对的情况，则适用无电解镀敷工艺。

以往，作为在铜表面形成Ni/Pd/Au被膜的无电解镀敷工艺，例如，专利文献1中如图10所示公开如下内容：对铜材料进行脱脂工序(步骤(以下记为“S”)11)及蚀刻(S12)，对铜材料的表面付与钯催化剂(S14)后，进行无电解镀镍(Ni)(S15)、无电解镀钯(Pd)(S16)和无电解镀金(Au)(S17)。专利文献1中虽没有记载，但是，一般会在蚀刻(S12)与付与钯催化剂处理(S14)之间进行去污(desmut)(S13)。为在无电解镀镍(S15)时进行镍析出，通常，必须进行付与钯催化剂处理(S14)。

在专利文献1公开的无电解镀镍(S15)中使用无电解镀镍液，该无电解镀镍液含有硫酸镍·6水合物22.5g/L(以镍进行换算为5g/L)、作为还原剂的次亚磷酸钠、作为络合物的苹果酸及琥珀酸、且含有作为稳定剂的铅盐、铋盐、硫化合物等，并且将pH调节为4.6，浴温调整为60～90℃。也可以使用二甲胺硼烷代替次亚磷酸钠作为还原剂。而且，通过无电解镀镍(S15)形成膜厚为0.1～15μm的镀镍被膜，通过无电解镀钯(S16)形成膜厚为0.001～2μm的镀钯被膜，通过无电解镀金(S17)形成膜厚0.001～1μm的镀金被膜。

Ni/Au被膜或Ni/Pd/Au被膜中，为了实现进一步高密度封装，期望镀镍被膜更进一步薄膜化

专利文献

专利文献1:日本特开2008-174774号公报

发明内容

发明所要解决的技术问题

但是，通过上述无电解镀镍(S15)形成膜厚例如为0.01μm以下的极薄的镀镍被膜的情况下，有时被覆不充分，在镀镍被膜的表面产生微小的凹部(孔)。而且，在进行后续的无电解镀金(S17)时，有时该凹部发生腐蚀从而产生贯穿镀镍被膜的贯通孔。该现象称为“镍局部腐蚀现象”。此时，存在Ni/Au被膜或Ni/Pd/Au被膜中无法得到优异的封装特性的不良情况。