[发明专利]铜颗粒以及其制造方法

权利要求书

1.一种铜颗粒，其具有包含铜的芯部和形成于该芯部的表面的包含CuO和Cu₂O的氧化铜层，其满足下述式(1)的关系，

Y≥36X-18 (1)

式中，X为铜颗粒中所包含的氧的以质量％计的含有比例，并且为0.80质量％～1.80质量％，Y为氧化铜层中所包含的Cu₂O的以nm计的微晶尺寸。

2.根据权利要求1所述的铜颗粒，其中，所述芯部中所包含的金属铜的微晶尺寸D_C与基于激光衍射散射式粒度分布测定法的累积体积为50容量％时的体积累积粒径D₅₀的比例即D_C/D₅₀的值为0.10～0.40，D₅₀和D_C的单位为μm。

3.根据权利要求1或2所述的铜颗粒，其中，在对所述铜颗粒的表面进行测定而得到的X射线光电子能谱中，Cu(II)的峰面积P2与Cu(I)的峰面积P1和Cu(0)的峰面积P0的比例即P2/(P1+P0)的值为0.30～2.50。

4.一种铜颗粒的制造方法，其包括下述工序：

将包含铜元素的原料粉导入等离子体焰中而形成气相状态的铜，等离子体气体的气体流量在室温下为1L/分钟～35L/分钟，

通过所述气相状态的铜的冷却而生成铜颗粒，同时将所生成的该铜颗粒暴露于含氧气氛，

使暴露于含氧气氛后的所述铜颗粒的表面氧化而生成包含CuO和Cu₂O的氧化铜层，

所述铜颗粒满足下述式(1)的关系，

Y≥36X-18 (1)

式中，X为铜颗粒中所包含的氧的以质量％计的含有比例，并且为0.80质量％～1.80质量％，Y为氧化铜层中所包含的Cu₂O的以nm计的微晶尺寸。

5.根据权利要求4所述的铜颗粒的制造方法，其中，将暴露于含氧气氛后的所述铜颗粒在相对湿度为30％～60％并且15℃～30℃的大气气氛下放置5分钟～60分钟，使该铜颗粒的表面氧化而生成所述氧化铜层。

6.根据权利要求4或5所述的铜颗粒的制造方法，其中，等离子体气体的气体流量在室温下为1L/分钟～30L/分钟。

7.根据权利要求6所述的铜颗粒的制造方法，其中，等离子体气体的气体流量在室温下为5L/分钟～30L/分钟。