[发明专利]基片处理装置和处理系统

权利要求书

1.一种对具有磁性层的基片进行单片式处理的基片处理装置，其特征在于，包括：

支承所述基片的支承部；

加热由所述支承部支承的所述基片的加热部；

冷却由所述支承部支承的所述基片的冷却部；

收纳所述支承部、所述加热部及所述冷却部的处理容器；和

产生磁场的磁铁部，

所述磁铁部包括彼此平行地延伸的第一端面和第二端面，

所述第一端面与所述第二端面隔开间隔地相对，

所述第一端面对应于所述磁铁部的第一磁极，

所述第二端面对应于所述磁铁部的第二磁极，

所述处理容器配置在所述第一端面与所述第二端面之间。

2.如权利要求1所述的基片处理装置，其特征在于：

在所述基片由所述支承部支承着的状态下，从所述第一端面和所述第二端面观察，该基片包含在该第一端面内和该第二端面内，与该第一端面和该第二端面平行地延伸。

3.如权利要求1或2所述的基片处理装置，其特征在于：

所述冷却部在所述处理容器内配置在所述基片由所述支承部支承着的情况下该基片在所述处理容器内配置的位置与所述第一端面之间，

所述加热部配置在所述位置与所述冷却部之间。

4.如权利要求3所述的基片处理装置，其特征在于：

还包括使所述基片移动的移动机构，

所述移动机构在所述基片由所述支承部支承着的状态下使该基片以与所述第一端面及所述第二端面平行并且靠近和离开所述冷却部的方式移动。

5.如权利要求1或2所述的基片处理装置，其特征在于：

所述冷却部在所述处理容器内配置在所述基片由所述支承部支承着的情况下该基片在所述处理容器内配置的位置与所述第一端面之间，

所述加热部配置在所述位置与所述冷却部之间。

6.如权利要求1或2所述的基片处理装置，其特征在于：

所述加热部包括第一加热层和第二加热层，

所述冷却部包括第一冷却层和第二冷却层，

所述第一冷却层在所述处理容器内配置在所述基片由所述支承部支承着的情况下该基片在所述处理容器内配置的位置与所述第一端面之间，

所述第二冷却层在所述处理容器内配置在所述位置与所述第二端面之间，

所述第一加热层配置在所述位置与所述第一冷却层之间，

所述第二加热层配置在所述位置与所述第二冷却层之间。

7.一种处理系统，其特征在于，包括：

多个成膜装置；

如权利要求1～6中任一项所述的基片处理装置；和

测量装置，

所述成膜装置形成具有磁性层的基片，

所述基片处理装置对由所述成膜装置形成的所述基片进行单片式处理，

所述测量装置对由所述成膜装置形成的所述基片和由所述基片处理装置处理后的该基片单片地测量电磁特性值。

8.如权利要求7所述的处理系统，其特征在于：

还包括大气输送室，

所述测量装置与所述大气输送室连结。

9.如权利要求7或8所述的处理系统，其特征在于：所述电磁特性值为磁阻比。