[发明专利]引线框架和集成电路连接布置

权利要求书

1.一种设备，所述设备包括：

引线框架，所述引线框架具有周边封装引线、第一电连接器、第二电连接器和第三电连接器；

单个半导体管芯，所述单个半导体管芯具有前侧和后侧，所述后侧具有后侧电触点，所述前侧具有第一前侧电触点和第二前侧电触点，所述第一前侧电触点电耦合并被物理安装到所述第一电连接器，并且所述第二前侧电触点电耦合并被物理安装到所述第二电连接器；

导电夹，所述导电夹具有第一电接触表面、第二电接触表面和第三电接触表面，所述第二电接触表面和所述第三电接触表面处于所述导电夹的一部分的相对侧上，所述第一电接触表面电耦合并被物理安装到所述第三电连接器，并且所述第二电接触表面电耦合并被物理安装到所述单个半导体管芯的所述后侧电触点；以及

顶部半导体管芯，所述顶部半导体管芯具有顶部半导体前侧、顶部半导体后侧和顶部半导体后侧电触点，所述顶部半导体后侧被物理安装到所述导电夹的所述第三电接触表面。

2.如权利要求1所述的设备，其中：

所述顶部半导体管芯是控制器管芯。

3.如权利要求1所述的设备，其中：

所述单个半导体管芯是功率半导体管芯。

4.如权利要求1所述的设备，其中：

所述导电夹具有约100微米的最小特征大小。

5.如权利要求1所述的设备，其中：

所述单个半导体管芯包括两个或更多个晶体管以及第三前侧电触点，所述第一前侧电触点电耦合到所述两个或更多个晶体管中的至少一者，所述第二前侧电触点电耦合到所述两个或更多个晶体管中的至少一者，所述第三前侧电触点电耦合到所述两个或更多个晶体管中的至少一者，并且所述后侧电触点电耦合到所述两个或更多个晶体管中的至少一者。

6.如权利要求5所述的设备，所述设备还包括：

所述顶部半导体管芯的第一顶部半导体前侧电触点和所述顶部半导体管芯的第二顶部半导体前侧电触点，所述第一顶部半导体前侧电触点电耦合到第一组所述周边封装引线，并且所述第二顶部半导体前侧电触点电耦合到所述单个半导体管芯的所述第三前侧电触点。

7.如权利要求6所述的设备，其中：

所述两个或更多个晶体管包括高侧晶体管和低侧晶体管；

所述高侧晶体管包括高侧源极、高侧漏极和高侧栅极；

所述低侧晶体管包括低侧源极、低侧漏极和低侧栅极；并且

所述第三前侧电触点电耦合到所述高侧栅极或所述低侧栅极中的一者或两者。

8.如权利要求7所述的设备，其中：

所述高侧晶体管是p型晶体管；

所述低侧晶体管是n型晶体管；

所述高侧栅极电耦合到所述第三前侧电触点；

所述低侧栅极电耦合到所述第三前侧电触点；并且

使用所述第三前侧电触点同时开关所述高侧晶体管和所述低侧晶体管。

9.如权利要求5所述的设备，其中：

所述两个或更多个晶体管包括高侧晶体管和低侧晶体管；

所述高侧晶体管包括高侧源极、高侧漏极和高侧栅极；

所述低侧晶体管包括低侧源极、低侧漏极和低侧栅极；

所述第一前侧电触点电耦合到所述高侧漏极；

所述第二前侧电触点将所述高侧源极和所述低侧漏极电耦合在一起；并且

所述后侧电触点电耦合到所述低侧源极。

10.如权利要求9所述的设备，其中所述顶部半导体后侧电触点电耦合到所述导电夹。