[发明专利]无源中继器设备、微波网络及设计中继器设备的方法

权利要求书

1.一种中继器设备，所述中继器设备包括：

交替金属移相元件的周期性阵列，所述阵列在至少两个轴上是周期性的、形成于电介质基底的第一表面上，其中所述电介质基底的相反表面具有形成于其上的接地平面，其中每个移相元件在微波频率范围内提供0°至360°的相移，

其中第一移相元件包括第一二维几何结构，并且第二移相元件包括第二二维几何结构，其中所述第一二维几何结构和所述第二二维几何结构各自具有类似的形状，并且其中所述第一二维几何结构具有与所述第二二维几何结构不同的尺寸；

其中所述第一二维几何结构和所述第二二维几何结构各自包括金属环，所述金属环具有设置在其中心区域中的加号形状。

2.根据权利要求1所述的中继器设备，其中所述周期性阵列包括以重复图案设置的各自具有类似的形状和不同的尺寸的至少P个移相元件，其中P包括大于2的整数。

3.根据权利要求1所述的中继器设备，其中所述接地平面包括金属材料，并且所述移相元件各自包括具有二维几何结构的金属贴片。

4.根据权利要求1所述的中继器设备，其中所述电介质基底包括多层结构，所述多层结构包括可拉伸材料。

5.根据权利要求4所述的中继器设备，其中所述可拉伸材料包括导电织物。

6.根据权利要求1所述的中继器设备，所述中继器设备还包括隐藏层，所述隐藏层设置在所述移相元件的阵列上。

7.根据权利要求1所述的中继器设备，其中所述移相元件和所述接地平面形成于透明导体上，并且所述电介质基底包括透明电介质材料。

8.一种中继器设备，所述中继器设备包括：

交替金属移相元件的周期性阵列，所述阵列在至少一个轴上是周期性的、形成于电介质基底的第一表面上，其中所述电介质基底的相反表面具有形成于其上的接地平面，其中每个移相元件在微波频率范围内提供0°至360°的相移，

其中所述周期性阵列包括在至少一个轴上重复的三个一组的移相元件的阵列，其中三个一组的移相元件包括具有第一二维几何结构的第一移相元件、具有第二二维几何结构的第二移相元件、以及具有第三二维几何结构的第三移相元件，其中所述第一二维几何结构、所述第二二维几何结构和所述第三二维几何结构各自具有类似的形状，并且其中所述第一二维几何结构具有与所述第二二维几何结构不同的尺寸，并且所述第三二维几何结构具有与所述第一二维几何结构和所述第二二维几何结构不同的尺寸。

9.根据权利要求8所述的中继器设备，其中所述接地平面包括金属材料，并且所述移相元件各自包括具有二维几何结构的金属贴片。

10.根据权利要求8所述的中继器设备，其中所述第一二维几何结构和所述第二二维几何结构各自包括金属环，所述金属环具有设置在其中心区域中的加号形状。

11.根据权利要求8所述的中继器设备，其中所述第一二维几何结构和所述第二二维几何结构各自包括三角形。

12.根据权利要求8所述的中继器设备，其中所述电介质基底包括多层结构，所述多层结构包括可拉伸材料。

13.根据权利要求12所述的中继器设备，其中所述可拉伸材料包括导电织物。

14.根据权利要求8所述的中继器设备，所述中继器设备还包括隐藏层，所述隐藏层设置在所述移相元件的阵列上。

15.根据权利要求8所述的中继器设备，其中所述移相元件和所述接地平面形成于透明导体上，并且所述电介质基底包括透明电介质材料。