[发明专利]插塞器

说明书

本发明涉及一种插塞器，尤其是高频插塞器，插塞器具有第一接触元件以及支撑元件(电介质)，从而使第一接触元件通过支撑元件受到机械引导，并且其中，支撑构件具有值小于2的介电常数。

技术领域

本发明涉及一种插塞器，优选是微波连接器，尤其是高频插塞器，在下文中也被称为HF插塞器，其具有主体、接触元件以及由电介质构成的支撑元件。

背景技术

插塞器在此尤其构造为所谓的同轴插塞器。该插塞器被用于传输数据，特别是大于一百kHz并且特别是大于1GHz的高频的数据。

在同轴插塞器中存在多个不同的变体。共同之处在于，它们具有作为第一接触元件的销形的内导体和作为第二接触元件的同心地包围内导体的套管形的外导体。在一些变体中，例如在小型的所谓的SMA插塞器中，通常在内导体与外导体之间布置有绝缘体，即电介质。电介质在此被用作使内导体机械稳定化的支撑元件。

为了使高频电信号传输特性良好，插塞器的特性阻抗应匹配于与它联接的电缆的特性阻抗。此外，寻求尽量高的截止频率，也就是说插塞器应适用于传输尽量高的频率。特性阻抗和截止频率在此与几何因子以及所选的材料有关。适用于特性阻抗和截止频率的众所周知的公式是：

a)和

b)

其中，fcutoff＝截止频率，Z＝特性阻抗，D＝外导体的直径，d＝内导体的直径，ε_r＝电介质的介电常数；

因此，为了实现限定的特性阻抗，HF插塞器在电介质的介电常数被预先给定的情况下具有最小直径。因此，该最小直径限制了减小插塞器的结构体积的可能性。原则上，可以省去电介质的布置，以便在插塞器内部实现空气的介电特性。然而，这通常导致稳定性损失，这提高了插塞器的故障率。

发明内容

基于此，本发明的任务是说明一种插塞器，尤其是HF插塞器，其在机械稳定性良好的情况下具有比迄今市面上常见的HF插塞器更小的结构体积。

该任务根据本发明通过一种插塞器，尤其是高频插塞器来解决，该插塞器具有主体、第一接触元件以及支撑元件，从而使第一接触元件通过支撑元件受到机械引导，其中，支撑元件具有值小于2的介电常数。该介电常数的所给定的值在此针对标准条件来给定，也就是说在室温(18℃)下并在待传输信号频率为50Hz的情况下给定。下面所给定的所有针对介电常数的值均适用于这些标准条件。

有利的实施例，改进方案和变型方案是从属权利要求的主题。

在本文中，高频特别是被理解为具有至少100kHz并且优选大于1GHz或甚至大于10GHz的值的频率。因此，插塞器被构造成用于传输如下这些频率，即，插塞器的截止频率高于这些频率。

支撑元件通常机械地支撑第一接触元件并且为此被构造为固体。为此，它尤其是套筒形地包围第一接触元件。支撑元件优选形状锁合地(formschlüssig)在周侧围绕第一接触元件布置。支撑元件被构造为绝缘体并且因此构造为电介质。在本文中，电介质通常被理解为弱导电的或非导电的非金属材料。

一般地，信号传输例如是经过插塞器而有损耗的。这种损耗例如归因于导体材料内部的损耗(例如所谓的铜损耗)和/或由于布置在插塞器内部的电介质的介电常数所引起的损耗。此外，损耗通常与要传输的信号的频率在设计方面相关。换句话说：频率越高并且介电常数的值越高，则发生的传输损耗就越高。

由于支撑元件具有值小于2的介电常数(也称为介电导率)，使得实现了如下介电值，该介电值例如低于被用于这种绝缘体的PTFE(聚四氟乙烯)的介电值。优选地，介电常数还具有小于1.8或小于1.6的值。由此，降低了受介电常数影响的传输损耗。介电值、介电常数值或介电数通常且类似地被理解为物质的各自的介电常数。