[发明专利]用于处理腔室的气体分配设备在审
申请号: | 201880013181.8 | 申请日: | 2018-01-23 |
公开(公告)号: | CN110326095A | 公开(公告)日: | 2019-10-11 |
发明(设计)人: | D·R·杜鲍斯;K·N·祝;K·嘉纳基拉曼 | 申请(专利权)人: | 应用材料公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;C23C16/44;H01L21/02 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 汪骏飞;侯颖媖 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 基板支撑件 处理腔室 可移动式 扩散器 排气 处理气体 腔室主体 入口开口 沉积头 开口 气体分配设备 沉积材料 处理基板 可枢转地 气体入口 引导处理 支撑基板 枢转架 基板 | ||
1.一种用于处理基板的处理腔室,包含:
腔室主体;
基板支撑件,所述基板支撑件被设置在所述腔室主体内;
多个气体入口,所述多个气体入口被定位在所述基板支撑件上方;以及
可移动式扩散器,所述可移动式扩散器通过枢转架座被可枢转地安装,所述枢转架座被设置为与所述基板支撑件相邻,所述可移动式扩散器包含:
沉积头,所述沉积头具有多个入口开口,所述多个入口开口用于将处理气体导向所述基板支撑件;以及
多个排气开口。
2.如权利要求1所述的处理腔室,其中所述多个排气开口被设置为围绕所述沉积头的所述多个入口开口。
3.如权利要求1所述的处理腔室,其中所述沉积头被设置在与所述枢转架座相对的所述可移动式扩散器的末端处。
4.如权利要求1所述的处理腔室,其中所述多个气体入口被设置在用于所述腔室主体的盖组件中。
5.如权利要求1所述的处理腔室,其中所述沉积头绕着所述枢转架座的中心轴可移动至弧形路径上的多个位置,所述弧形路径在所述基板支撑件的周边与所述基板支撑件的中心之间。
6.如权利要求5所述的处理腔室,其中所述多个气体入口被设置在所述基板支撑件上方,并且其中所述可移动式扩散器可旋转至操作位置,所述可移动式扩散器在所述操作位置处被定位在所述多个气体入口与所述基板支撑件之间。
7.如权利要求1所述的处理腔室,所述处理腔室进一步包含真空通口,其中,所述可移动式扩散器包括臂排气流动路径,所述臂排气流动路径与所述多个排气开口与所述真空通口耦合。
8.一种处理腔室,包含:
腔室主体;
基板支撑件,所述基板支撑件被设置在所述腔室主体内;
多个气体入口,所述多个气体入口被定位在所述基板支撑件上方,以在所述基板支撑件上方引导处理气体;以及
可移动式扩散器,所述可移动式扩散器被安装为与所述基板支撑件相邻,所述可移动式扩散器具有臂处理气体流动路径,所述臂处理气体流动路径与所述可移动式扩散器中的多个入口开口耦合,其中所述可移动式扩散器可旋转至多个操作位置,其中所述可移动式扩散器的所述多个入口开口在所述多个操作位置中的每一个操作位置中被定位在所述基板支撑件的不同区域上方。
9.如权利要求8所述的处理腔室,其中所述可移动式扩散器进一步包含多个排气开口与臂排气流动路径,所述多个排气开口在所述可移动式扩散器中,所述臂排气流动路径耦合至所述多个排气开口。
10.如权利要求9所述的处理腔室,其中所述腔室主体包含在所述腔室主体中的通道,其中外壳排气流动路径被设置在所述腔室主体的所述通道中,并且与所述可移动式扩散器的所述臂排气流动路径耦合。
11.如权利要求10所述的处理腔室,所述处理腔室进一步包含位于所述腔室主体中的支撑件外壳,其中所述支撑件外壳包含外壳处理气体流动路径与所述外壳排气流动路径,所述外壳处理气体流动路径耦合至所述多个入口开口,所述外壳排气流动路径耦合至所述多个排气开口。
12.如权利要求9所述的处理腔室,其中所述多个排气开口被设置为围绕所述可移动式扩散器的所述多个入口开口。
13.如权利要求8所述的处理腔室,其中所述腔室主体具有顶部开口,所述可移动式扩散器可旋转至存储位置,其中所述可移动式扩散器被设置在所述腔室主体的所述顶部开口的外侧。
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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