[发明专利]计算量测法有效

专利信息
申请号: 201880013446.4 申请日: 2018-02-12
公开(公告)号: CN110383177B 公开(公告)日: 2021-10-29
发明(设计)人: W·T·特尔;B·P·B·西哥斯;E·C·摩斯;埃米尔·皮特·斯克米特-威沃;张祎晨;柳星兰;赖纳·玛丽亚·琼伯鲁特;刘贤优;P·G·范里;M·基利蒂齐拉基 申请(专利权)人: ASML荷兰有限公司
主分类号: G03F7/20 分类号: G03F7/20;G03F9/00
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 胡良均
地址: 荷兰维*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 计算 量测法
【权利要求书】:

1.一种计算量测方法,包括:

确定与在执行器件制造过程时的误差或残差关联的第一参数的第一分布,所述第一分布包括测量的数据或由模拟或模型获得的数据;

确定与在执行所述器件制造过程时的误差或残差关联的第二参数的第二分布,所述第二分布包括测量的数据或由模拟或模型获得的数据;和

使用对所述第一分布和第二分布进行运算的函数,通过硬件计算机确定与所述器件制造过程关联的感兴趣的参数的分布。

2.根据权利要求1所述的方法,其中,所述第一参数、所述第二参数和所述感兴趣的参数是相同的。

3.根据权利要求1所述的方法,其中,所述第一分布是特定于所述器件制造过程的,但不是特定于使用所述器件制造过程处理的任何特定衬底的。

4.根据权利要求1所述的方法,其中,所述第二分布是特定于使用所述器件制造过程处理的特定衬底的,但不是通用于使用所述器件制造过程处理的其它衬底的。

5.根据权利要求1所述的方法,其中,所述第一分布和/或第二分布包括从以下选择的一个或更多个:

伺服误差对相应的第一参数和/或第二参数的贡献、对准模型残差对所述相应的第一参数和/或第二参数的贡献、投影系统像差或像平面偏差对所述相应的第一参数和/或第二参数的贡献、投影系统模型残差对所述相应的第一参数和/或第二参数的贡献、和/或衬底表面高度对所述相应的第一参数和/或第二参数的贡献。

6.根据权利要求1所述的方法,其中,确定所述第一分布还包括获得所述第一参数的被测量的数据并从所述被测量的数据去除所述器件制造过程的特定装置对所述第一参数的贡献。

7.根据权利要求6所述的方法,其中,所述特定装置的贡献包括从以下选择的一个或更多个:

伺服误差的贡献、对准模型残差的贡献、投影系统像差或像平面偏差的贡献、投影系统模型残差的贡献和/或衬底表面高度的贡献。

8.根据权利要求1所述的方法,还包括使用所述感兴趣的参数的分布来执行从以下选择的任何一个或更多个:

预测衬底的缺陷、控制所述器件制造过程、监控所述器件制造过程、设计所述器件制造过程的方面和/或校准数学模型。

9.根据权利要求1所述的方法,其中,所述第一参数、所述第二参数和/或所述感兴趣的参数是从以下选择的一个或更多个:重叠、CD、聚焦、剂量和/或边缘位置。

10.根据权利要求1所述的方法,其中,所述函数包括从以下选择的一个或更多个:算术加法、卷积和/或神经网络。

11.根据权利要求1所述的方法,其中所述第一参数和/或所述第二参数与所述感兴趣的参数不同,且还包括将所述第一参数和/或所述第二参数转换成所述感兴趣的参数。

12.根据权利要求1所述的方法,其中,所述函数包括对所述第一分布和第二分布进行运算的相关性。

13.根据权利要求12所述的方法,其中:

所确定的第一分布包括值的第一建模分布;和

所确定的第二分布包括值的第二建模分布;和

所述感兴趣的参数是第一参数,

并且所述方法包括:

获得所述第一参数的值的第一分布;

获得所述第二参数的值的第二分布;

对值的所述第一分布和值的所述第二分布进行建模,以获得值的所述第一建模分布和值的所述第二建模分布;和

基于使用通过在与值的所述第一建模分布关联的第一模型系数和与值的所述第二建模分布关联的第二模型系数之间的映射所获得的缩放因子来缩放所述第二建模分布,从而确定所述感兴趣的参数的分布。

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