[发明专利]具有低非晶形相的陶瓷金属衬底

权利要求书

1.一种陶瓷金属衬底(1)，其包含陶瓷衬底(2)及所述陶瓷衬底的至少一侧上的金属化物(3)，其特征在于所述陶瓷衬底(2)具有至少一条刻划线(4)及/或切割边缘(8)，其中非晶形相(5)以至少20μm且至多100μm的宽度a的范围平行于所述刻划线(4)及/或所述切割边缘(8)延伸。

2.根据权利要求1所述的陶瓷金属衬底(1)，其特征在于所述陶瓷衬底(2)具有至少一条刻划线(4)且所述非晶形相(5)以从所述刻划线(4)的边缘(6)计算至少20μm且至多50μm的宽度a的范围从所述刻划线(4)开始且平行于所述刻划线(4)延伸。

3.根据权利要求1或2所述的陶瓷金属衬底(1)，其特征在于所述陶瓷衬底(2)具有至少一条刻划线(4)且所述非晶形相(5)以从所述刻划线(4)的中心线(7)计算至少20μm且至多100μm的宽度a的范围从所述刻划线(4)开始且平行于所述刻划线(4)延伸。

4.根据权利要求1或2所述的陶瓷金属衬底(1)，其特征在于所述陶瓷衬底(2)具有至少一条切割边缘(8)且所述非晶形相(5)以从所述切割边缘(8)的内缘(11)计算至少20μm且至多50μm的宽度a的范围从所述切割边缘(8)的所述内缘(11)开始且平行于所述切割边缘(8)延伸。

5.根据权利要求1或2所述的陶瓷金属衬底(1)，其特征在于所述陶瓷衬底(2)具有至少一条切割边缘(8)且所述非晶形相(5)以从所述切割边缘(8)的外缘(12)计算至少20μm且至多100μm的宽度a的范围从所述切割边缘(8)的所述外缘(12)开始且平行于所述切割边缘(8)延伸。

6.根据权利要求1或2所述的陶瓷金属衬底(1)，其特征在于所述刻划线(4)及/或所述切割边缘(8)通过激光烧蚀获得。

7.根据权利要求1或2所述的陶瓷金属衬底(1)，其特征在于所述非晶形相(5)的形成是在激光烧蚀期间通过激光的速度及/或功率控制。

8.根据权利要求1或2所述的陶瓷金属衬底(1)，其特征在于激光刻划线的深度是所述陶瓷衬底的层厚度的5％到50％。

9.根据权利要求1或2所述的陶瓷金属衬底(1)，其特征在于激光刻划线的深度是所述陶瓷衬底的层厚度的8％到45％。

10.根据权利要求1或2所述的陶瓷金属衬底(1)，其特征在于激光刻划线的深度是所述陶瓷衬底的层厚度的10％到40％。

11.根据权利要求1或2所述的陶瓷金属衬底(1)，其特征在于激光刻划线的深度是所述陶瓷衬底的层厚度的20％到40％。

12.根据权利要求1或2所述的陶瓷金属衬底(1)，其特征在于激光刻划线的深度垂直于所述陶瓷衬底的平面表面至少20μm。

13.根据权利要求1或2所述的陶瓷金属衬底(1)，其特征在于激光刻划线的深度垂直于所述陶瓷衬底的平面表面至少30μm。

14.根据权利要求1或2所述的陶瓷金属衬底(1)，其特征在于激光刻划线的深度垂直于所述陶瓷衬底的平面表面至少50μm。

15.一种根据权利要求1到14中任一权利要求所述的陶瓷金属衬底(1)的用途，其用作电力电子应用的电路载体。