[发明专利]具有改进的磁屏蔽件和柱塞芯设计的感应式位置传感器

权利要求书

1.一种感应式位置传感器，包括：在纵向方向具有圆柱形线圈绕组(14)的第一部分，具有软磁柱塞芯(20)的第二部分，所述软磁柱塞芯(20)设置为能够在纵向方向相对于圆柱形线圈绕组(14)移动并且所述软磁柱塞芯的纵向长度平行于圆柱形线圈绕组的纵向方向，以及其中所述第一部分至少部分地围绕软磁柱塞芯，其特征在于，薄壁软磁管状屏蔽件(11a)围绕圆柱形线圈绕组(14)，其中所述薄壁软磁屏蔽件(11a)成形为圆形横截面形状，具有平行于圆柱形线圈绕组的纵向方向延伸的纵向邻接接缝(11c)，并且从切成矩形的扁平带成形为圆形横截面形状，并且其中所述薄壁软磁屏蔽件(11a)具有圆形横截面，带有一个由屏蔽孔垫圈元件(11b)封闭的山墙端，并且其中软磁管状屏蔽件(11a)和屏蔽孔垫圈元件(11b)均由电工钢的扁平带制成。

2.根据权利要求1所述的感应式位置传感器，其中薄壁软磁管状屏蔽件(11a)设置在由聚合物材料制成的管状壳体内，所述管状壳体具有与壳体集成的斜面槽口并围绕薄壁软磁管状屏蔽件(11a)的端部周向布置，所述斜面槽口按压薄壁软磁管状屏蔽件(11a)使得纵向邻接接缝(11c)的间隙减小。

3.根据权利要求1所述的感应式位置传感器，其中屏蔽孔垫圈元件(11b)的厚度相对于薄壁软磁管状屏蔽件(11a)的厚度在1.5-5倍的范围内。

4.根据权利要求2所述的感应式位置传感器，其中由聚合物材料制成的管状壳体包括用于软磁柱塞芯(20)的中心导管。

5.根据权利要求1所述的感应式位置传感器，其中所述软磁柱塞芯(20)成形为中空横截面形状，具有沿着平行于圆柱形线圈绕组(14)的纵向方向延伸的纵向邻接接缝(21s)，并且所述软磁柱塞芯(20)从切成矩形(20_SP)的电工钢的扁平冷轧带成形为中空圆形横截面形状(20_R)。

6.根据权利要求5所述的感应式位置传感器，其中软磁柱塞芯(20)的纵向邻接接缝(21s)熔接在一起。

7.根据权利要求5所述的感应式位置传感器，其中软磁柱塞芯(20)的壁厚度(W_T)在软磁柱塞芯的总外径(ODc)的0.02-5％之间。

8.根据权利要求7所述的感应式位置传感器，其中软磁柱塞芯(20)的壁厚度(W_T)在0.01-0.4mm之间。

9.根据权利要求8所述的感应式位置传感器，其中软磁柱塞芯(20)的壁作为箔安装在由非磁性材料制成的中心非活动芯元件(22)的顶部上。