[发明专利]具有改进的频率性能的垂直探针测试头

权利要求书

1.一种适于校验集成在半导体晶片上的被测器件的工作的测试头(20)，所述测试头(20)包括：

至少一个导引件，所述至少一个导引件设置有多个导引孔(40h)；和

容纳在所述多个导引孔(40h)中的多个接触元件(21)，

其中：

所述至少一个导引件包括多个导电层(30a-30n)，所述导电层(30a-30n)中的每一个都包括所述导引孔(40h)的对应组(40a-40n)的孔并且电连接容纳在所述导引孔(40h)的所述组(40a-40n)中的所述接触元件(21)的对应组，每个对应组的接触元件适于运载相同类型的信号，其中，所述至少一个导引件为包括多个非导电层(La-Lm)的多层结构，所述多个导电层(30a-30n)布置在所述多个非导电层(La-Lm)的对应层的对应面(Fa-Fm)上，其中，非导电层(La-Lm)依次重叠布置并形成多层结构导引件，每个导电层通过所述非导电层(La-Lm)中的其中一个与邻近的导电层分离，并且其中包括多个导电层(30a-30n)的所述导引件是测试头(20)的下导引件或中间导引件。

2.根据权利要求1所述的测试头(20)，其特征在于，所述至少一个导引件为陶瓷多层结构，包括由陶瓷材料制成的多个非导电层(La-Lm)。

3.根据权利要求1所述的测试头(20)，其特征在于，所述至少一个导引件包括与刚性支撑件相关联的有机多层结构，所述有机多层结构包括由有机材料制成的多个层，所述有机材料层形成非导电层，在所述非导电层上布置有所述多个导电层(30a-30n)中的至少一个导电层。

4.根据权利要求1所述的测试头(20)，其特征在于，所述多个导电层(30a-30n)中的每一个都布置在所述至少一个导引件的对应非导电层(La-Lm)的面(Fa-Fm)上，所述导电层(30a-30n)包括所述导引孔(40h)的至少一个对应组(40a-40n)的孔并且电连接容纳在所述至少一个对应组(40a-40n)的孔中的接触元件，所述组形成在所述导电层(30a-30n)处，并且所述多个导电层(30a-30n)中的每一个的面积小于所述面(Fa-Fm)的面积。

5.根据权利要求1所述的测试头(20)，其特征在于，所述多个导电层(30a-30n)中的每一个覆盖所述至少一个导引件的对应的非导电层(La-Lm)的面(Fa-Fm)，所述导电层(30a-30n)包括所述导引孔(40h)的所述至少一个对应组(40a-40n)的孔并且电连接容纳在其中的接触元件，但没有电连接容纳在不属于所述至少一个对应组(40a-40n)的导引孔中的接触元件。

6.根据权利要求1所述的测试头(20)，其特征在于，所述多个导电层(30a-30n)还包括在所述至少一个导引件的至少一个外露面(FA，FB)上形成的表面层。

7.根据权利要求1所述的测试头(20)，其特征在于，所述多个导电层(30a-30n)嵌入在所述至少一个导引件中。

8.根据权利要求1所述的测试头(20)，其特征在于，包括至少一个第一导电层(30a)和至少一个第二导电层(30b)，所述第一导电层(30a)包括所述导引孔(40h)的第一组(40a)的孔并且电连接容纳在所述导引孔(40h)的所述第一组(40a)中的第一组接触元件(21)，所述第一组接触元件(21)适于运载接地信号，所述第二导电层(30b)包括所述导引孔(40h)的第二组(40b)的孔并且电连接容纳在所述导引孔(40h)的所述第二组(40b)中的第二组接触元件(21)，所述第二组接触元件适于运载功率信号。

9.根据权利要求8所述的测试头(20)，其特征在于，所述测试头包括多个第一导电层(30a)，所述第一导电层(30a)的数量对应于待运载的功率信号的数量。