[发明专利]光电子半导体芯片在审
| 申请号： | 201880013936.4 | 申请日： | 2018-02-22 |
| 公开（公告）号： | CN110337730A | 公开（公告）日： | 2019-10-15 |
| 发明（设计）人： | 安德烈亚斯·鲁道夫;马库斯·布勒尔;沃尔夫冈·施密德;约翰内斯·鲍尔;马丁·鲁道夫·贝林格 | 申请（专利权）人： | 欧司朗光电半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 丁永凡;张春水 |
| 地址： | 德国雷*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 波长 量子阱层 光电子半导体芯片 多量子阱结构 人眼 源层 红外光谱 发射 辐射 不可见 交替的 阻挡层 | ||
1.一种光电子半导体芯片(10)，所述光电子半导体芯片具有：
-p型半导体区域(4)，
-n型半导体区域(9)，
-在所述p型半导体区域(4)与所述n型半导体区域(9)之间设置的有源层(6)，所述有源层构成为多量子阱结构(6A，6B)并且具有交替的量子阱层(6A)和阻挡层(6B)，其中所述量子阱层(6A)适合于发射在第一波长范围中的第一辐射(21)，以及
-至少一个另外的量子阱层(7A)，所述至少一个另外的量子阱层设置在所述多量子阱结构(6A、6B)之外，并且适合于发射在第二波长范围中的第二辐射(22)，其中
-所述第一波长范围处于对于人眼不可见的红外光谱范围中，和
-所述第二波长范围包括如下波长，该波长至少部分对于人眼而言是可见的。
2.根据权利要求1所述的光电子半导体芯片，
其中所述第二辐射(22)在750nm和850nm之间的波长处具有强度最大值。
3.根据上述权利要求中任一项所述的光电子半导体芯片，
其中所述第一辐射(21)在850nm和1000nm之间的波长处具有强度最大值。
4.根据上述权利要求中任一项所述的光电子半导体芯片，
其中所述至少一个另外的量子阱层(7A)具有电子带隙EQW2，所述电子带隙大于所述多量子阱结构的量子阱层(6A)的电子带隙EQW1，并且其中适用EQW2-EQW1≥0.1eV。
5.根据上述权利要求中任一项所述的光电子半导体芯片，
其中所述多量子阱结构的量子阱层(6A)和所述至少一个另外的量子阱层(7A)分别具有InxAlyGa1-x-yAs或InxAlyGa1-x-yP，其中0≤x≤l，0≤y≤1和x+y≤1。
6.根据权利要求5所述的光电子半导体芯片，
其中所述至少一个另外的量子阱层(7A)的铝含量y大于所述多量子阱结构(6A，6B)的量子阱层(6A)的铝含量y。
7.根据权利要求5或6所述的光电子半导体芯片，
其中所述至少一个另外的量子阱层(7A)的铟含量x小于所述多量子阱结构(6A)的量子阱层的铟含量x。
8.根据上述权利要求中任一项所述的光电子半导体芯片，
其中所述至少一个另外的量子阱层(7A)与所述多量子阱结构(6A，6B)的量子阱层(6A)相比具有更小的厚度。
9.根据上述权利要求中任一项所述的光电子半导体芯片，
其中所述至少一个另外的量子阱层(7A)设置在所述多量子阱结构(6A，6B)的朝向所述n型半导体区域(9)的侧上。
10.根据权利要求9所述的光电子半导体芯片，
其中所述至少一个另外的量子阱层(7A)与所述多量子阱结构(6A，6B)直接邻接。
11.根据上述权利要求中任一项所述的光电子半导体芯片，
其中所述至少一个另外的量子阱层(7A)设置在所述多量子阱结构的朝向所述p型半导体区域(4)的侧上。
12.根据权利要求11所述的光电子半导体芯片，
其中所述多量子阱结构(6A，6B)设置在p侧的限制层(5)与n侧的限制层(8)之间，和其中所述p侧的限制层(5)设置在所述多量子阱结构(6A，6B)与所述至少一个另外的量子阱层(7A)之间。
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