[发明专利]包括基板和透明导电层的电气设备及形成电气设备的方法在审
申请号: | 201880013953.8 | 申请日: | 2018-02-26 |
公开(公告)号: | CN110337716A | 公开(公告)日: | 2019-10-15 |
发明(设计)人: | 塞巴斯蒂安·马里厄斯·萨拉奇;弗洛伦特·马丁;埃里克·乔恩·比约纳尔 | 申请(专利权)人: | SAGE电致变色显示有限公司 |
主分类号: | H01L21/768 | 分类号: | H01L21/768 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 高岩;杨林森 |
地址: | 美国明*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 堆叠 基板 图案化 电气设备 运送 高电阻区域 透明导电层 定制程序 远程位置 工艺流程 灵活的 延迟 制造 废弃 开口 储存 客户 制作 | ||
可以在对堆叠内的任何层进行图案化之前,形成与基板相邻的层的堆叠。在实施方式中,可以制作基板和堆叠的组合并且将基板和堆叠的组合储存很长一段时间,例如多于一周或一个月,或者在进一步制造发生之前将基板和堆叠的组合运送到远程位置。通过延迟不可逆转的图案化直到更接近最终产品将要被运送给客户的日期为止,可以基本上降低具有特定尺寸的过多存制或对在开始制造之后取消的定制程序不得不废弃窗的可能性。此外,可以避免堆叠的层之间的颗粒。所描述的工艺流程是灵活的,并且可以按照许多不同顺序来执行在形成孔、开口或高电阻区域时的许多图案化操作。
技术领域
本公开内容涉及电气设备,并且更具体地涉及包括基板和透明导电层的电气设备及形成电气设备的方法。
背景技术
电气设备可以包括:与电致变色设备的电极耦接的透明导电层;以及与透明导电层电连接的汇流条。当形成电致变色设备时,在基板上方沉积下透明导电层并对下透明导电层进行图案化,以防止汇流条彼此电短路或者具有不可接受的高泄漏电流。在对用于电致变色装置的层和上透明导电层进行沉积之前执行图案化。期望进一步提高包括电致变色设备的电子设备的制造。
附图说明
通过示例的方式对实施方式进行说明,并且实施方式不受附图的限制。
图1包括包含基板和层的堆叠的工件的部分的截面图的图示。
图2包括图1的工件的顶视图的图示,该图描绘了与可以由工件形成的不同电致变色设备对应的不同区域。
图3包括图2的工件的在形成穿过层的堆叠的孔之后的部分的顶视图的图示。
图4包括图3的工件沿剖面线4-4的部分的截面图的图示。
图5包括图3的工件沿剖面线5-5的部分的截面图的图示。
图6包括图3的工件在根据实施方式形成高电阻区域之后的部分的顶视图的图示。
图7包括图6的工件沿剖面线7-7的部分的截面图的图示。
图8包括图6的工件沿剖面线8-8的部分的截面图的图示。
图9包括图6的工件在形成切割道和开口之后的顶视图的图示。
图10包括图9的工件沿剖面线10-10的部分的截面图的图示。
图11包括图9的工件在形成汇流条之后的顶视图的图示。
图12包括图11的工件沿剖面线12-12的部分的截面图的图示。
图13包括图11的工件沿剖面线13-13的部分的截面图的图示。
图14包括包含图1的工件的绝缘玻璃单元的截面图的图示。
图15包括图1的工件在根据替选实施方式形成高电阻区域之后的截面图的图示。
图16包括图1的工件在根据替选实施方式形成高电阻区域之后的截面图的图示。
图17包括图1的工件在根据另一替选实施方式形成高电阻区域之后的截面图的图示。
图18包括图1的工件在根据另一替选实施方式形成高电阻区域之后的截面图的图示。
图19包括设置在基板之间的层的堆叠的截面图的图示。
图20包括其中高电阻区域与汇流条间隔开的工件的顶视图的图示。
图21包括具有带有蛇形图案的高电阻区域的工件顶视图的图示。
技术人员认识到,图中的元件为了简单和清楚起见而被示出,且不一定按比例绘制。例如,图中一些元件的尺寸可以相对于其他元件放大,以有助于提高对本发明的实施方式的理解。
具体实施方式
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造