[发明专利]蚀刻偏差表征及其使用方法

权利要求书

1.一种蚀刻偏差表征的方法，包括：

通过硬件计算机，基于蚀刻偏差模型确定待使用图案化过程的蚀刻步骤蚀刻的图案的蚀刻偏差，所述蚀刻偏差模型包括公式，所述公式包括：与所述图案的空间属性关联的变量或与所述蚀刻步骤的蚀刻等离子体物种浓度关联的变量，和包括参数幂的自然指数函数的数学项，所述参数的幂被拟合或基于所述蚀刻步骤的蚀刻时间；和

基于所确定的蚀刻偏差调整所述图案化过程。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述指数函数的参数被与用于所述蚀刻步骤的所述蚀刻时间和反应常数拟合，或基于用于所述蚀刻步骤的所述蚀刻时间和反应常数。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，所述变量包括所述图案的空间属性，并且所述图案的空间属性是初始图案元素尺寸。

4.根据权利要求1所述的方法，其中，所述变量包括所述图案的空间属性，并且所述公式包括所述变量乘以所述数学项。

5.根据权利要求1所述的方法，其中，所述变量包括所述图案的空间属性，并且所述公式包括CD₀(e^kt-1)的形式，其中CD₀是所述变量且对应于所述图案的尺寸，并且kt是针对所述蚀刻步骤的蚀刻时间t和用于所述蚀刻步骤的反应常数k进行拟合的参数。

6.根据权利要求1所述的方法，其中，所述变量包括所述蚀刻等离子体物种浓度并且所述公式还包括校准参数。

7.根据权利要求1所述的方法，其中，所述变量包括所述蚀刻等离子体物种浓度，并且所述公式包括所述变量乘以所述数学项。

8.根据权利要求1所述的方法，其中，所述变量包括所述蚀刻等离子体物种浓度，其中所述公式包括k₁C_T0(e^kt-1)的形式，其中k₁是校准参数，C_T0是所述变量且对应于所述蚀刻等离子体物种浓度，并且kt是针对所述蚀刻步骤的蚀刻时间t和用于所述蚀刻步骤的反应常数k进行拟合的参数。

9.根据权利要求1所述的方法，其中，所述变量包括所述蚀刻等离子体物种浓度，并且所述蚀刻等离子体物种浓度被针对在围绕所述图案上的评估点的被蚀刻的材料界限内的所述图案的被蚀刻的区域进行限定，其中所述蚀刻等离子体物种浓度与所述被蚀刻的区域成比例。

10.根据权利要求9所述的方法，其中所述被蚀刻的材料界限是以所述评估点为中心的圆形界限，所述评估点位于所述被蚀刻的区域与衬底的图案化材料区域之间的界面处。

11.根据权利要求1所述的方法，其中，所述变量包括蚀刻等离子体物种浓度，并且所述公式包含并入所述自然指数函数的幂中的阿仑尼乌斯方程的修改形式。

12.根据权利要求1所述的方法，其中，所述变量包括蚀刻等离子体物种浓度，并且所述公式将图案化材料浓度并入在所述自然指数函数的幂中。

13.根据权利要求12所述的方法，其中所述图案化材料浓度被针对与所述图案上的评估点相邻的所述图案的图案化材料区域进行限定。

14.根据权利要求12或13所述的方法，其中所述蚀刻等离子体物种浓度被针对在围绕所述图案上的评估点的被蚀刻的材料界限内的所述图案的被蚀刻的区域进行限定，其中所述蚀刻等离子体物种浓度与所述被蚀刻的区域成比例。