[发明专利]热电装置有效
申请号: | 201880014495.X | 申请日: | 2018-03-01 |
公开(公告)号: | CN110366785B | 公开(公告)日: | 2020-10-16 |
发明(设计)人: | C·保利 | 申请(专利权)人: | IEE国际电子工程股份公司 |
主分类号: | H01L35/32 | 分类号: | H01L35/32 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人: | 王琼先 |
地址: | 卢森堡埃*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 热电 装置 | ||
1.具有沟道部(50)的热电装置(1),所述沟道部(50)包括由拓扑绝缘体材料制成并且具有带有至少一个沟槽(12)的顶表面(11)的至少一个沟道层(10),其中每个沟槽(12)的每个侧表面(12.1)包括带有一对拓扑保护的一维电子沟道(15)的导电区(14),
每个沟道层(10)包括配置用于电子型传导的至少一个n区域(10.3)和配置用于空穴型传导的至少一个p区域(10.4),所述n区域(10.3)和p区域(10.4)交替地设置并从所述沟道层(10)的第一端(10.1)延伸至第二端(10.2),
每个n区域(10.3)包括从所述第一端(10.1)处的第一电极(16,17,18)延伸至所述第二端(10.2)处的第二电极(19)的至少一个n沟槽(12.3),并且每个p区域(10.4)包括从第二电极(19)延伸至第一电极(16,17,18)的至少一个p沟槽(12.5),其中所述第一电极(16,17,18)和所述第二电极(19)交替地设置以连接相邻区域(10.3,10.4)的所述p沟槽(12.5)和n沟槽(12.3),由此串联连接所有的p沟槽(12.5)和n沟槽(12.3)。
2.根据权利要求1所述的热电装置,其特征在于,所述拓扑绝缘体材料是弱拓扑绝缘体材料并且每个沟槽(12)的所述顶表面(11)和底表面(12.2)是绝缘的。
3.根据权利要求1或2中任一项所述的热电装置,其特征在于,并且所有的第一电极(16,17,18)热连接到第一热导体元件(40)并且所有的第二电极(19)热连接到第二热导体元件(41)。
4.根据权利要求1或2中任一项所述的热电装置,其特征在于,至少一些区域(10.3,10.4)包括多个间隔开的沟槽(12.3,12.4,12.5)。
5.根据权利要求1或2中任一项所述的热电装置,其特征在于,所述热电装置包括至少一个曲折沟槽(12),所述至少一个曲折沟槽(12)包括通过转向沟槽(12.4)连接到n沟槽(12.3)的至少一个p沟槽(12.5),每个转向沟槽(12.4)从n区域(10.3)延伸至p区域(10.4)。
6.根据权利要求5所述的热电装置,其特征在于,所述第一电极(16,17,18)和第二电极(19)中的至少一个被设置在转向沟槽(12.4)上。
7.根据权利要求1或2中任一项所述的热电装置,其特征在于,每个沟道层(10)被设置在绝缘层(20)上,所述绝缘层(20)包括与所述拓扑绝缘体材料不同的绝缘材料,其中负电极(21)被设置在所述绝缘层(20)中在每个n区域(10.3)下方并且正电极(22)被设置在所述绝缘层(20)中在每个p区域(10.4)下方。
8.根据权利要求7所述的热电装置,其特征在于,所述绝缘材料具有小于10的相对介电常数。
9.根据权利要求8所述的热电装置,其特征在于,所述绝缘材料具有小于5的相对介电常数。
10.根据权利要求7所述的热电装置,其特征在于,所有的正电极(22)电连接和/或所有的负电极(21)电连接。
11.根据权利要求1或2中任一项所述的热电装置,其特征在于,所述沟道部(50)包括以堆叠方式布置的多个沟道层(10)。
12.根据权利要求11所述的热电装置,其特征在于,所有沟道层(10)的所述第一电极(16,17,18)被连接到单个第一热导体元件(40)和/或所有沟道层(10)的所述第二电极(19)被连接到单个第二热导体元件(41)。
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