[发明专利]多晶片温度控制装置及用于控制多晶片功率模块的温度的方法

权利要求书

1.一种用于控制包括多个晶片的多晶片功率模块的温度的方法，多晶片温度控制装置接收输入信号并且独立地驱动所述多晶片功率模块的所述晶片，所述输入信号是由连续的周期性时间周期组成的脉冲宽度调制信号，其特征在于，该方法由所述多晶片温度控制装置执行并且包括以下步骤：

-在一个周期内，在所述多晶片功率模块的所述晶片当中的一个晶片不导通时，获得表示所述一个晶片的温度的信号，

-在相同周期的一个时间段内，在所述多晶片功率模块的并联的所有晶片不导通时，获得表示所有晶片的内部栅极电阻器的等效电阻器值以便设置取决于所有晶片的温度的参考温度的信号，

-将表示所述一个晶片的温度的信号与表示所述参考温度的信号进行比较，

-根据比较结果减少所述晶片的导通时间的持续时间或者减少所述多晶片功率模块的其它晶片的导通时间的持续时间。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，通过向所述一个晶片的栅极和所述多个晶片的栅极提供电流来获得表示所述一个晶片的温度的信号和表示所述参考温度的信号。

3.一种对包括多个晶片的多晶片功率模块的温度进行控制的多晶片温度控制装置，该多晶片温度控制装置接收输入信号并独立地驱动所述多晶片功率模块的所述晶片，所述输入信号是由连续的周期性时间周期组成的脉冲宽度调制信号，其特征在于，该多晶片温度控制装置包括：

-用于在一个周期内，在所述多晶片功率模块的所述晶片当中的一个晶片不导通时获得表示所述一个晶片的温度的信号的单元，

-用于在相同周期的一个时间段内，在所述多晶片功率模块的并联的所有晶片不导通时获得表示所有晶片的内部栅极电阻器的等效电阻器值以便设置取决于所有晶片的温度的参考温度的信号的单元，

-用于将表示所述一个晶片的温度的信号与表示所述参考温度的信号进行比较的单元，

-用于根据比较结果减少所述晶片的导通时间的持续时间或减少所述多晶片功率模块的其它晶片的导通时间的持续时间的单元。

4.根据权利要求3所述的多晶片温度控制装置，其特征在于，表示所述一个晶片的温度的信号和表示所述参考温度的信号是通过向所述一个晶片的栅极和所述多个晶片的栅极提供电流来获得的。