[发明专利]半导体基板加工用粘合带及半导体装置的制造方法

权利要求书

1.一种半导体基板加工用粘合带，其具备基材及被层叠在前述基材的一个表面的粘合层，并且其用于在沿厚度方向切断半导体密封连接体而得到复数个半导体密封体时，将前述半导体密封连接体在密封部与前述粘合层接触的状态下经由前述粘合层临时固定于前述基材，前述半导体密封连接体具备基板、被配置在前述基板上的复数个半导体元件、及对前述复数个半导体元件进行密封的密封部，

其特征在于，

前述粘合层含有剥离剂，该剥离剂用于使前述半导体密封体从该半导体基板加工用粘合带剥离时降低前述粘合层与前述密封部的密合性，

前述密封部由含有含环氧基的化合物的密封材料构成，

前述含环氧基的化合物在其分子结构中具有双键，

前述剥离剂为硅酮系油或氟系表面活性剂。

2.根据权利要求1所述的半导体基板加工用粘合带，其中，

前述剥离剂为前述硅酮系油，

前述硅酮系油为改性硅油。

3.根据权利要求1或2所述的半导体基板加工用粘合带，其中，

前述粘合层还含有具有粘合性的基础树脂。

4.根据权利要求3所述的半导体基板加工用粘合带，其中，

前述基础树脂的玻璃化转变温度为-30℃以下。

5.根据权利要求3所述的半导体基板加工用粘合带，其中，

前述基础树脂的重均分子量为30万以上且180万以下。

6.根据权利要求4所述的半导体基板加工用粘合带，其中，

前述基础树脂的重均分子量为30万以上且180万以下。

7.根据权利要求3所述的半导体基板加工用粘合带，其中，

前述粘合层还含有因赋予能量而固化的固化性树脂。

8.根据权利要求4至6中任一项所述的半导体基板加工用粘合带，其中，

前述粘合层还含有因赋予能量而固化的固化性树脂。

9.根据权利要求7所述的半导体基板加工用粘合带，其中，

在赋予前述能量之前，前述粘合层表面相对于十六烷的接触角为20°以上。

10.根据权利要求8所述的半导体基板加工用粘合带，其中，

在赋予前述能量之前，前述粘合层表面相对于十六烷的接触角为20°以上。

11.根据权利要求7所述的半导体基板加工用粘合带，其中，

在赋予前述能量之后，前述粘合层表面相对于十六烷的接触角为10°以上。

12.根据权利要求8所述的半导体基板加工用粘合带，其中，

在赋予前述能量之后，前述粘合层表面相对于十六烷的接触角为10°以上。

13.根据权利要求9所述的半导体基板加工用粘合带，其中，

在赋予前述能量之后，前述粘合层表面相对于十六烷的接触角为10°以上。

14.根据权利要求10所述的半导体基板加工用粘合带，其中，

在赋予前述能量之后，前述粘合层表面相对于十六烷的接触角为10°以上。

15.根据权利要求1、2、4至7、9至14中任一项所述的半导体基板加工用粘合带，其中，

前述粘合层的厚度为1μm以上且30μm以下。

16.根据权利要求3所述的半导体基板加工用粘合带，其中，

前述粘合层的厚度为1μm以上且30μm以下。

17.根据权利要求8所述的半导体基板加工用粘合带，其中，

前述粘合层的厚度为1μm以上且30μm以下。