[发明专利]微通道板和电子倍增体

说明书

一种微通道板，其具备：具有正面、背面和侧面的基体；从基体的正面贯通至背面的多个通道；至少在通道的内壁面上设置的第一膜；在第一膜上的至少一部分设置的第二膜；和在基体的正面上和背面上分别设置的电极层。第一膜由MgO形成，第二膜由SiO₂形成，第二膜的厚度比第一膜的厚度薄。

技术领域

本发明的一个方面涉及微通道板和电子倍增体。

背景技术

在现有技术中已知包括具有正面和背面的基体、和从基体的正面贯通至背面的多个通道的微通道板(例如参照专利文献1)。在该微通道板中，在通道上形成有第一发射层，在第一发射层上形成有第二发射层。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特表第2011-513921号公报

发明内容

发明所要解决的技术问题

通常，微通道板是在图像增强器或光电子倍增管(Photomultiplier Tube)等真空管内使用的器件。就微通道板而言，考虑到制造中的处理性和以微通道板单体的方式向顾客运输的环境，在与真空管不同的环境下的特性的稳定性至关重要。在上述现有技术中，例如在将微通道板放置于大气中的情况下，由Al₂O₃层构成的第二发射层的表面被污染或发生变质，结果，可能发生增益的经时劣化。在上述现有技术中，由于微通道板的结构没有充分考虑第一发射层的二次电子发射系数与第二发射层的二次电子发射系数的大小，因此，例如即使第一发射层的二次电子发射系数大，有时也会出现无法发挥其特性而使得微通道板的增益降低的情况。

本发明的一个方面的目的在于提供一种能够抑制增益的经时劣化、并且实现增益的提高的微通道板和电子倍增体。

用于解决技术问题的技术方案

为了解决上述技术问题，本发明的发明人进行了深入研究。结果，本发明的发明人得到下述见解：通过在通道的内壁面上设置由MgO(氧化镁)形成的第一膜，在该第一膜上的至少一部分设置由SiO₂(二氧化硅)形成的第二膜，能够抑制例如放置于大气中的情况下的增益的经时劣化。而且，本发明的发明人还得到下述见解：通过使由SiO₂形成的第二膜的厚度比由MgO形成的第一膜的厚度薄，能够发挥二次电子发射系数较大的MgO的特性，高效地实现增益的提高。另外还得到下述见解：在由MgO形成第一膜、且由SiO₂形成第二膜时，在放置于大气中之后，增益比该大气放置之前的初始增益增加，从而完成了本发明。

本发明的一个方面的微通道板包括：具有正面、背面和侧面的基体；从基体的正面贯通至背面的多个通道；至少在通道的内壁面上设置的第一膜；在第一膜上的至少一部分设置的第二膜；和在基体的正面上和背面上分别设置的电极层，第一膜由MgO形成，第二膜由SiO₂形成，第二膜的厚度比第一膜的厚度薄。

在该微通道板中，在由MgO形成的第一膜上的至少一部分设置有由SiO₂形成的第二膜，因此，能够抑制例如放置于大气中的情况下的增益的经时劣化。并且，使由SiO₂形成的第二膜的厚度比由MgO形成的第一膜的厚度薄，因此，能够发挥二次电子发射系数大的MgO的特性，使由MgO形成的第一膜起到作为主要二次电子倍增层的功能，能够高效地实现增益的提高。并且，由MgO形成第一膜且由SiO₂形成第二膜，因此，在放置于大气中之后，能够使增益比初始增益增加。因此，能够抑制增益的经时的劣化且实现增益的提高。

在本发明的一个方面的微通道板中，第二膜可以在第一膜上呈岛状分布。在该情况下，能够必要且充分地确保抑制增益的经时劣化的效果，并且使第一膜更有效地起到作为二次电子倍增层的功能，能够实现增益的进一步提高。