[发明专利]太阳能单电池

说明书

太阳能单电池(10)包括具有受光面及背面的第1导电型的半导体衬底(20)、设置于背面上的第1导电型的第1半导体层(50)、和设置于背面上的第2导电型的第2半导体层(51)，半导体衬底(20)具有：具有第1导电型的杂质的第1杂质区域(40)；和设置于第1杂质区域(40)与第1半导体层(50)之间的、具有第1导电型的杂质的第3杂质区域(42)，第3杂质区域(42)的第1导电型的杂质浓度高于第1杂质区域(40)的第1导电型的杂质浓度，半导体衬底(20)与第1半导体层(50)的接合是异质结。

技术领域

本发明涉及太阳能单电池。

背景技术

作为光电转换特性高的太阳能单电池，公开有一种所谓的背面接合型的太阳能单电池，在背向半导体衬底的受光面的背面形成有n型半导体层和p型半导体层。例如专利文献1中公开有一种背面接合型的太阳能单电池，在结晶性的半导体衬底的背面设置有n型非晶半导体层和p型非晶半导体层，在结晶性的半导体衬底与n型非晶半导体层及p型非晶半导体层之间设置有本征非晶半导体层。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：国际公开第WO2015/114903号

发明内容

发明要解决的课题

使用半导体衬底的太阳能单电池中，半导体衬底表面的光载流子复合对光电转换特性产生大的影响。因此，在半导体衬底的表面设置钝化膜，来抑制光载流子复合。但是，即使在设置有钝化膜的情况下，也不能完全抑制半导体衬底的表面的光载流子复合，需要进一步抑制复合。

用于解决课题的方法

作为本发明的一个方式的太阳能单电池，其包括：具有受光面和背面的第1导电型的半导体衬底；设置于背面上的第1导电型的第1半导体层；与设置于背面上的第1导电型为相反导电型的第2导电型的第2半导体层；与第1半导体层电连接的第1电极；和与第2半导体层电连接的第2电极，半导体衬底具有：具有第1导电型的杂质的第1杂质区域；第3杂质区域，其设置于第1杂质区域与第1半导体层之间，具有第1导电型的杂质；和第4杂质区域，其设置于第1杂质区域与第2半导体层之间，具有第1导电型的杂质，第3杂质区域的第1导电型的杂质浓度高于第1杂质区域和第4杂质区域的第1导电型的杂质浓度，半导体衬底与第1半导体层的接合是异质结。

发明的效果

根据本发明，能够实现太阳能单电池的光电转换特性的提高。

附图说明

图1是表示实施方式的太阳能单电池的结构的截面图。

图2是表示图1的实施方式的太阳能单电池的结构的背面侧的俯视图。

图3是表示其他实施方式的太阳能单电池的结构的截面图。

图4是表示变形例的太阳能单电池的结构的截面图。

图5是示意表示太阳能单电池的制造工序的图。

图6是示意表示太阳能单电池的制造工序的图。

图7是示意表示太阳能单电池的制造工序的图。

图8是示意表示太阳能单电池的制造工序的图。

图9是示意表示太阳能单电池的制造工序的图。

图10是示意表示太阳能单电池的制造工序的图。

具体实施方式

以下参照附图说明实施方式。但是，下述的实施方式是简单的示例，本发明不受下述实施方式的限定。