[发明专利]具有硅顶栅薄膜晶体管和半导体氧化物顶栅薄膜晶体管的显示器

权利要求书

1.一种显示器，所述显示器包括：

半导体氧化物驱动晶体管，所述半导体氧化物驱动晶体管是顶栅晶体管；和

硅开关晶体管，所述硅开关晶体管耦合到所述半导体氧化物驱动晶体管。

2.根据权利要求1所述的显示器，还包括：

发光二极管，所述发光二极管与所述驱动晶体管串联耦合。

3.根据权利要求2所述的显示器，其中所述硅开关晶体管被配置为选择性地使电流穿过所述驱动晶体管到达所述发光二极管。

4.根据权利要求2所述的显示器，还包括：

第一电源线路；和

第二电源线路，其中所述半导体氧化物驱动晶体管、所述硅开关晶体管和所述发光二极管串联耦合在所述第一电源线路和所述第二电源线路之间。

5.根据权利要求1所述的显示器，还包括：

存储电容器，所述存储电容器耦合到所述驱动晶体管，所述存储电容器包括导电氧化物。

6.根据权利要求1所述的显示器，其中所述硅开关晶体管形成在基板上，并且其中所述半导体氧化物驱动晶体管形成在所述硅开关晶体管上方。

7.根据权利要求6所述的显示器，还包括：

有机层，所述有机层形成在所述半导体氧化物驱动晶体管上；和

导电路由路径，所述导电路由路径将所述半导体氧化物驱动晶体管耦合到所述硅开关晶体管，所述导电路由路径被所述有机层覆盖。

8.根据权利要求7所述的显示器，还包括：

附加有机层，所述附加有机层形成在所述有机层上，其中所述发光二极管具有形成在所述附加有机层上的阳极层。

9.根据权利要求7所述的显示器，还包括：

导电区段，所述导电区段形成在所述显示器的弯曲区域中，所述导电区段和所述导电路由路径至少部分地形成在相同栅极金属层中。

10.根据权利要求6所述的显示器，还包括：

导电结构，所述导电结构在既定金属层中形成在所述半导体氧化物驱动晶体管的正下方；和

存储电容器，所述存储电容器耦合到所述驱动晶体管，所述存储电容器包括处于所述既定金属层中的电容器板。

11.根据权利要求6所述的显示器，其中所述硅开关晶体管包括形成在既定金属层中的栅极结构，所述显示器进一步包括：

存储电容器，所述存储电容器耦合到所述驱动晶体管，所述存储电容器包括处于所述既定金属层中的电容器板。

12.一种显示器，所述显示器包括：

驱动晶体管，所述驱动晶体管具有栅极端子和源极端子；和

电容器，所述电容器耦合到所述驱动晶体管，所述电容器包括导电氧化物，并且所述电容器被配置为存储所述驱动晶体管的所述栅极端子和所述源极端子两端的电压。

13.根据权利要求12所述的显示器，还包括：

发光二极管，所述发光二极管串联耦合在所述驱动晶体管之间。

14.根据权利要求12所述的显示器，还包括：

电介质层，所述电介质层形成在所述驱动晶体管下方，其中所述驱动晶体管包括半导体氧化物材料，并且其中所述电容器的所述导电氧化物和所述驱动晶体管的所述半导体氧化物材料形成在所述电介质层上。

15.根据权利要求12所述的显示器，还包括：

开关晶体管，所述开关晶体管耦合到所述驱动晶体管，所述开关晶体管具有形成在既定金属层中的栅极，其中所述电容器进一步包括形成在所述既定金属层中的电容器板。