[发明专利]具有气隙和保护层的IC结构及其制造方法

权利要求书

1.一种制造集成电路结构的方法，包括以下步骤：

a）提供基板；

b）在所述基板上产生多个互连结构，其中，所述互连结构中的每个包括侧表面和顶表面，并且所述侧表面直接在所述侧表面之间限定气隙，以将所述互连结构彼此隔离；以及

c）在所述多个互连结构的顶部上添加平面的保护层，以覆盖所有气隙，

其中，步骤c）包括通过以下方式在所述多个互连结构的顶上添加掩蔽膜：

d）将所述掩蔽膜沉积在基底上；

e）在所述掩蔽膜上涂覆保持层；

f）从所述掩蔽膜移除所述基底；

g）在所述掩蔽膜位于所述互连结构的顶上的情况下，将所述保持层和所述掩蔽膜的叠层转移到所述基板上；以及

h）从所述掩蔽膜移除所述保持层。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，形成所述保持层和所述掩蔽膜的所述叠层的步骤d）至f）远离所述基板和所述多个互连结构执行。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，所述基底由铜箔或硅晶片制成。

4.根据权利要求1所述的方法，其中，所述保持层由能够溶解于有机溶液中或者能够通过等离子体处理分解的一种或多种材料制成。

5.根据权利要求4所述的方法，其中，所述保持层由PMMA制成。

6.根据权利要求4所述的方法，其中，步骤e）还包括在将所述保持层涂覆在所述掩蔽膜上之后对所述保持层进行烘烤。

7.根据权利要求4所述的方法，其中，步骤g）包括在所述掩蔽膜位于所述互连结构的顶上的情况下，将所述保持层和所述掩蔽膜的所述叠层定位到所述基板上，并且加热所述掩蔽膜和所述互连结构以改善所述掩蔽膜和所述互连结构的所述顶表面之间的粘附性。

8.根据权利要求1所述的方法，其中，所述保持层是热释放带。

9.根据权利要求8所述的方法，其中，步骤g）包括在所述掩蔽膜位于所述互连结构的顶上的情况下，将所述保持层和所述掩蔽膜的所述叠层定位到所述基板上，并且在温和的热量下将所述保持层和所述掩蔽膜插入两个辊之间以将所述掩蔽膜转移到所述互连结构的所述顶表面上。

10.根据权利要求1所述的方法，其中，所述掩蔽膜是平面的单层或多层结构，所述平面的单层或多层结构包括选自半导体、介电材料及其任意组合的一种或多种二维材料。

11.根据权利要求1所述的方法，其中，通过化学气相沉积、原子层沉积、蒸发或分子束外延，将所述掩蔽膜沉积在所述基底上。

12.根据权利要求11所述的方法，其中，通过等离子体增强化学气相沉积、低压化学气相沉积或金属有机化学气相沉积，将所述掩蔽膜沉积在所述基底上。

13.根据权利要求1所述的方法，其中，步骤c）还包括在所述掩蔽膜上沉积支撑膜以加强所述掩蔽膜。

14.根据权利要求13所述的方法，其中，所述支撑膜是平面的单层或多层结构，所述平面的单层或多层结构包括选自绝缘材料、半导体、导电材料及其任意组合的一种或多种材料。

15.根据权利要求13所述的方法，其中，通过化学气相沉积、原子层沉积、蒸发或分子束外延，将所述支撑膜沉积在所述掩蔽膜上。

16.根据权利要求15所述的方法，其中，通过等离子体增强化学气相沉积、低压化学气相沉积或金属有机化学气相沉积，将所述支撑膜沉积在所述掩蔽膜上。

17.根据权利要求1所述的方法，其中，重复步骤a）至c）以产生多级集成电路结构。