[发明专利]为CMP位置特定研磨(LSP)设计的螺旋及同心圆移动

权利要求书

1.一种研磨基板的方法，包括下述步骤：

将研磨垫定位在基板上、在所述基板的第一半径处，所述研磨垫由支撑臂支撑且具有接触部分表面区域，所述接触部分表面区域小于所述基板的表面区域；

使用第一研磨配方在所述第一半径处研磨所述基板，所述第一研磨配方包括：

第一研磨驻留时间；

第一研磨向下力；及

第一研磨速度；

使用定位运动移动所述支撑臂，使得所述研磨垫于所述基板上从所述第一半径横越至第二半径；以及

使用第二研磨配方在所述第二半径处研磨所述基板，所述第二研磨配方包括：

第二研磨驻留时间；

第二研磨向下力；及

第二研磨速度。

2.如权利要求1所述的方法，其中所述研磨垫耦接研磨头，且所述第一研磨速度包括轴杆的旋转速率，所述轴杆配置于所述研磨头内。

3.如权利要求1所述的方法，其中所述定位运动包括下述步骤：绕垂直轴旋转所述支撑臂，所述垂直轴配置成穿过所述支撑臂的端部。

4.如权利要求2所述的方法，进一步包括下述步骤：提供研磨运动给所述研磨垫，其中所述研磨运动包括轨道式运动、弧形运动、圆形运动、振荡运动、旋转运动、或上述运动的组合。

5.如权利要求3所述的方法，进一步包括下述步骤：以卡盘支撑所述基板，以及绕所述卡盘的中心轴旋转所述卡盘，使得所述支撑臂的所述定位运动与所述卡盘的相对运动形成所述基板上的螺旋形研磨路径。

6.如权利要求1所述的方法，其中所述接触部分表面区域小于所述基板的所述表面区域的约1％。

7.一种研磨基板的方法，包括下述步骤：

迫使由支撑臂的第一端支撑的研磨垫抵靠基板的表面，所述研磨垫具有接触部分表面区域，所述接触部分表面区域小于所述基板的表面区域；

使用第一研磨配方研磨所述基板的第一区域表面，所述第一区域表面比所述基板的所述表面小，所述第一研磨配方包括：

第一研磨驻留时间；

第一研磨向下力；及

第一研磨速度；

同时移动所述基板及所述支撑臂，使得所述研磨垫从所述基板的第一区域表面横越到所述基板的第二区域表面，所述第二区域表面小于所述基板的所述表面；及

使用第二研磨配方研磨所述基板的所述第二区域表面，所述第二研磨配方包括：

第二研磨驻留时间；

第二研磨向下力；及

第二研磨速度。

8.如权利要求7所述的方法，其中研磨所述基板的所述第一区域表面与所述基板的第二区域表面包括下述步骤：使用研磨运动。

9.如权利要求7所述的方法，其中移动所述支撑臂包括下述步骤：绕垂直轴旋转所述支撑臂，所述垂直轴配置成穿过所述支撑臂的第二端。

10.如权利要求7所述的方法，其中移动所述基板包括下述步骤：绕所述基板的中心旋转所述基板，使得所述研磨垫横越所述基板上的螺旋形路径。

11.如权利要求8所述的方法，其中所述研磨垫耦接研磨头，且所述研磨运动是由致动器组件所提供，所述致动器组件配置在所述研磨头中。

12.如权利要求8所述的方法，其中所述研磨运动包括轨道式运动、弧形运动、圆形运动、振荡运动、旋转运动、或上述运动的组合。