[发明专利]弹性波装置有效
申请号: | 201880015091.2 | 申请日: | 2018-02-20 |
公开(公告)号: | CN110352557B | 公开(公告)日: | 2023-02-24 |
发明(设计)人: | 岩本英树;高井努;中川亮;山根毅;太田川真则 | 申请(专利权)人: | 株式会社村田制作所 |
主分类号: | H03H9/25 | 分类号: | H03H9/25 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 赵琳琳 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 弹性 装置 | ||
提供一种能够在维持主模式的良好特性的同时抑制高阶模式的弹性波装置。弹性波装置(1)具备:材料层(2),具有欧拉角(θ1,ψ1),且欧拉角(θ1,ψ1)下的弹性常数由下述的式(1)来表示;由单晶构成的压电体(3),直接或间接地层叠于材料层(2),具有欧拉角(θ2,ψ2),且欧拉角(θ2,ψ2)下的弹性常数由下述的式(1)来表示;和IDT电极(4),设置在压电体(3)的第1主面以及第2主面之中的至少一方,材料层的弹性常数C11~C66之中非0的至少一个弹性常数和压电体的弹性常数C11~C66之中非0的至少一个弹性常数成为相反符号。[数学式1]
技术领域
本发明涉及具有由单晶构成的压电体的弹性波装置、具有该弹性波装置的高频前端电路以及通信装置。
背景技术
以往,提出了各种在由硅构成的支承基板上直接或间接地层叠有压电体的弹性波装置。例如,在下述的专利文献1以及2记载的弹性波装置中,在硅基板上隔着SiO2膜层叠有LiTaO3单晶压电体。在下述的专利文献3记载的弹性波装置中,在硅的(111)面、(100)面或(110)面上隔着SiO2膜层叠有由LiTaO3构成的单晶的压电体。
在专利文献3中,通过利用(111)面,从而能够提高耐热性。
在先技术文献
专利文献
专利文献1:日本特开平11-55070号公报
专利文献2:日本特开2005-347295号公报
专利文献3:日本特开2010-187373号公报
发明内容
发明要解决的课题
在如专利文献1~3记载的那样的以往的弹性波装置中,能够使作为所利用的弹性波的主模式的能量集中在压电体内。但是,已知存在不仅仅是主模式而位于主模式的高频侧的高阶模式也同时陷获在压电体内的情况。因此,高阶模式成为杂散,存在弹性波装置的特性劣化的问题。
本发明的目的在于,提供一种能够在维持主模式的良好特性的同时抑制高阶模式的弹性波装置。
用于解决课题的手段
本发明涉及的弹性波装置,具备:材料层,具有欧拉角且所述欧拉角下的弹性常数由下述的式(1)来表示;压电体,具有相互对置的第1主面以及第2主面,直接或间接地层叠于所述材料层以使得所述第2主面处于所述材料层侧,具有欧拉角且所述欧拉角下的弹性常数由下述的式(1)来表示;和IDT电极,设置在所述压电体的所述第1主面以及所述第2主面之中的至少一方,所述材料层的弹性常数C11~C66之中非0的至少一个弹性常数和所述压电体的弹性常数C11~C66之中非0的至少一个弹性常数成为相反符号。
[数学式1]
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