[发明专利]磁存储器、磁存储器记录方法以及磁存储器读取方法

权利要求书

1.一种磁存储器，所述磁存储器包括：

第一和第二隧道结元件，所述第一和第二隧道结元件分别具有叠层结构，所述叠层结构包括具有固定磁化方向的参考层、具有可逆磁化方向的记录层、以及被夹在所述参考层与所述记录层之间的绝缘层；

第一选择晶体管，所述第一选择晶体管电连接至所述第一和第二隧道结元件的第一端；

第一配线，所述第一配线电连接至所述第一隧道结元件的第二端；以及

第二配线，所述第二配线电连接至所述第二隧道结元件的第二端。

2.根据权利要求1所述的磁存储器，其中，所述第一和第二隧道结元件具有基本上彼此相同的磁特性。

3.根据权利要求2所述的磁存储器，其中，

所述第一和第二隧道结元件具有基本上彼此相同的形状，以及

所述第一和第二隧道结元件的每个层在所述第一隧道结元件与所述第二隧道结元件之间具有共同材料和基本上相同的薄膜厚度。

4.根据权利要求1所述的磁存储器，所述磁存储器进一步包括：

第三隧道结元件，所述第三隧道结元件具有所述叠层结构；以及

第二选择晶体管，所述第二选择晶体管电连接至所述第三隧道结元件的第一端，

其中，所述第三隧道结元件的第二端电连接至所述第二配线。

5.一种磁存储器，所述磁存储器包括以矩阵排列的多个存储单元，

其中，各个所述存储单元包括：

多个隧道结元件，所述多个隧道结元件分别具有叠层结构，所述叠层结构包括具有固定磁化方向的参考层、具有可逆磁化方向的记录层、以及被夹在所述参考层与所述记录层之间的绝缘层；

选择晶体管，所述选择晶体管电连接至所述多个隧道结元件的第一端；以及

多条配线，所述多条配线电连接至各个所述隧道结元件的第二端。

6.根据权利要求5所述的磁存储器，其中，彼此相邻的两个所述存储单元共享所述配线中的至少一条。

7.根据权利要求6所述的磁存储器，其中，在彼此相邻的所述两个所述存储单元中，设置所述选择晶体管以便彼此共享源极或漏极。

8.一种磁存储器的记录方法，

所述磁存储器包括：

第一和第二隧道结元件，所述第一和第二隧道结元件分别具有叠层结构，所述叠层结构包括具有固定磁化方向的参考层、具有可逆磁化方向的记录层、以及被夹在所述参考层与所述记录层之间的绝缘层；

选择晶体管，所述选择晶体管电连接至所述第一和第二隧道结元件的第一端；

第一配线，所述第一配线电连接至所述第一隧道结元件的第二端；以及

第二配线，所述第二配线电连接至所述第二隧道结元件的第二端，

所述记录方法包括：

使所述选择晶体管进入导通状态；以及

在所述第一配线与所述第二配线之间提供电位差。

9.一种磁存储器的记录方法，

所述磁存储器包括：

以矩阵排列的多个存储单元，

各个所述存储单元包括：

多个隧道结元件，所述多个隧道结元件分别具有叠层结构，所述叠层结构包括具有固定磁化方向的参考层、具有可逆磁化方向的记录层、以及被夹在所述参考层与所述记录层之间的绝缘层；

选择晶体管，所述选择晶体管电连接至所述多个隧道结元件的第一端；以及

多条配线，所述多条配线电连接至各个所述隧道结元件的第二端，

所述记录方法包括，在所述存储单元中：

使所述选择晶体管进入导通状态；以及

在所述多条配线之间提供电位差。

10.根据权利要求9所述的磁存储器的记录方法，所述记录方法进一步包括，在所述多个存储单元中：

使多个所述选择晶体管进入导通状态；

相继地将待被施加至所述多条配线的电压从第一电压切换至第二电压；以及

然后相继地将待被施加至所述多条配线的所述电压从所述第二电压切换至所述第一电压。

11.一种磁存储器的读取方法，

所述磁存储器包括：

第一和第二隧道结元件，所述第一和第二隧道结元件分别具有叠层结构，所述叠层结构包括具有固定磁化方向的参考层、具有可逆磁化方向的记录层、以及被夹在所述参考层与所述记录层之间的绝缘层；

选择晶体管，所述选择晶体管电连接至所述第一和第二隧道结元件的第一端；

第一配线，所述第一配线电连接至所述第一隧道结元件的第二端；

第二配线，所述第二配线电连接至所述第二隧道结元件的第二端；以及

第三配线，所述第三配线电连接至所述选择晶体管的与所述第一和第二隧道结元件相对的侧，

所述读取方法包括：

使所述选择晶体管进入导通状态；

向所述第一配线和所述第二配线施加电压以便相对于所述第三配线具有第一极性；以及

然后向所述第一配线或所述第二配线施加电压以便相对于所述第三配线具有与所述第一极性相反的第二极性。