[发明专利]磁存储器和磁存储器记录方法

权利要求书

1.一种磁存储器，包括：

自旋轨道层，其中自旋极化电子由电流产生；

磁存储元件，具有叠层结构并且设置在所述自旋轨道层上，该叠层结构包括绝缘层和其中磁化方向根据要记录的信息改变的磁性层；以及

电压施加层，用于经由所述绝缘层向所述磁性层施加电压，其中

所述电压施加层在所述电流在所述自旋轨道层中流动的同时向所述磁性层施加电压，以改变所述磁性层的磁各向异性或磁阻尼常数。

2.根据权利要求1所述的磁存储器，其中，所述电压施加层还包括与所述磁性层不同的另一磁性层。

3.根据权利要求1所述的磁存储器，其中

所述自旋轨道层被设置为沿第一方向延伸，

多个所述磁存储元件沿所述第一方向设置在所述自旋轨道层上，以及

设置多个所述电压施加层，所述电压施加层用于向多个所述磁存储元件的所述磁性层的每个施加电压。

4.一种磁存储器，包括：

以矩阵方式布置的多个磁存储元件，每个磁存储元件具有叠层结构，该叠层结构包括绝缘层和其中磁化方向根据要记录的信息而变化的磁性层；

多个自旋轨道层，被设置为对应于包括沿第一方向布置的多个所述磁存储元件的每个磁存储元件列，以及其中自旋极化电子由电流产生；以及

多个电压施加层，被设置为对应于包括沿与所述第一方向正交的第二方向布置的多个所述磁存储元件的每个磁存储元件行，并且被配置为经由所述绝缘层向每个所述磁存储元件行中包括的多个所述磁存储元件的相应磁性层施加电压，其中

所述电压施加层在所述电流在所述自旋轨道层中流动的同时将所述电压施加到对应的所述磁存储元件的所述磁性层，以改变所述磁性层的磁各向异性或磁阻尼常数。

5.一种磁存储器记录方法，

所述磁存储器包括

自旋轨道层，其中自旋极化电子由电流产生，

磁存储元件，具有叠层结构并且设置在所述自旋轨道层上，该叠层结构包括绝缘层以及其中磁化方向根据要记录的信息而变化的磁性层，以及

电压施加层，用于经由所述绝缘层向所述磁性层施加电压，

所述方法包括：

通过所述电压施加层将第一电压施加到所述磁性层以降低所述磁性层的磁各向异性或降低磁阻尼常数并使电流同时在所述自旋轨道层中流动。

6.根据权利要求5所述的磁存储器记录方法，还包括：

在所述电流以后或在所述电流减小之后，通过所述电压施加层将具有与所述第一电压相反极性的第二电压施加到所述磁性层。

7.一种磁存储器记录方法，

所述磁存储器包括

自旋轨道层，其中自旋极化电子由电流产生，

磁存储元件，具有叠层结构并且设置在所述自旋轨道层上，该叠层结构包括绝缘层和其中磁化方向根据要记录的信息而变化的磁性层，以及

电压施加层，用于经由所述绝缘层向所述磁性层施加电压，

所述方法包括：

使电流在所述自旋轨道层中流动；以及

在所述电流以后或在所述电流减小之后，通过所述电压施加层将第三电压施加到所述磁性层以提高所述磁性层的磁各向异性或提高磁阻尼常数。

8.一种磁存储器记录方法，

所述磁存储器包括

以矩阵方式布置的多个磁存储元件，每个磁存储元件具有叠层结构，该叠层结构包括绝缘层和其中磁化方向根据要记录的信息而变化的磁性层；

多个自旋轨道层，被设置为对应于包括沿第一方向布置的多个所述磁存储元件的每个磁存储元件列，以及其中自旋极化电子由电流产生；以及

多个电压施加层，被设置为对应于包括沿与所述第一方向正交的第二方向布置的多个所述磁存储元件的每个磁存储元件行，并且被配置为经由所述绝缘层向每个所述磁存储元件行中包括的多个所述磁存储元件的相应磁性层施加电压，

所述方法包括：

通过所述电压施加层控制要被施加到所述磁性层的所述电压，以选择要记录信息的所述磁存储元件。