[发明专利]具有与存取装置耦合的主体连接线的设备

权利要求书

1.一种设备，其包括：

晶体管，其与竖直延伸半导体柱相关联且包括位于所述竖直延伸半导体柱内的上部源极/漏极区域、位于所述竖直延伸半导体柱内的下部源极/漏极区域及位于所述竖直延伸半导体柱内且介于所述上部与下部源极/漏极区域之间的沟道区域；所述晶体管还包括沿着所述沟道区域的栅极；

字线，其与所述晶体管的所述栅极耦合；

数字线，其与所述晶体管的所述下部源极/漏极区域耦合；

可编程装置，其与所述晶体管的所述上部源极/漏极区域耦合；及

主体连接线，其位于所述字线上方且与所述字线平行地延伸；所述主体连接线具有穿透到所述竖直延伸半导体柱中的横向边缘；所述主体连接线包括不同于所述半导体柱的组成。

2.根据权利要求1所述的设备，其中所述主体连接线包括多晶硅且所述竖直延伸半导体柱包括单晶硅。

3.根据权利要求1所述的设备，其包括沿着所述半导体柱且位于所述主体连接线上方的上部氮化物衬里，且包括沿着所述字线且位于所述主体连接线下方的下部氮化物衬里；所述主体连接线直接接触所述上部氮化物衬里及所述下部氮化物衬里两者。

4.根据权利要求1所述的设备，其中所述竖直延伸半导体柱包括沿着横截面的一对相对侧壁，其中所述相对侧壁是第一侧壁及第二侧壁；其中所述栅极具有沿着所述第一侧壁的第一部分及沿着所述第二侧壁的第二部分；其中所述主体连接线是一对主体连接线中的一者，其中所述一对主体连接线是第一主体连接线及第二主体连接线；其中所述第一主体连接线位于所述栅极的所述第一部分上方且延伸到所述竖直延伸半导体柱的所述第一侧壁中；其中所述第二主体连接线位于所述栅极的所述第二部分上方且延伸到所述竖直延伸半导体柱的所述第二侧壁中；且其中所述第一及第二主体连接线包括彼此相同的组成。

5.一种设备，其包括：

存取晶体管，其布置成包括行及列的阵列；所述存取晶体管中的每一者与竖直延伸半导体柱相关联且包括位于所述相关联的竖直延伸半导体柱内的上部源极/漏极区域、位于所述相关联的竖直延伸半导体柱内的下部源极/漏极区域及位于所述相关联的竖直延伸半导体柱内且介于所述上部与下部源极/漏极区域之间的沟道区域；所述存取晶体管中的每一者还包括沿着所述沟道区域的栅极；

字线，其沿着所述行延伸且包括所述存取晶体管的所述栅极；

数字线，其沿着所述列延伸且与所述存取晶体管的所述下部源极/漏极区域耦合；

可编程装置，其与所述存取晶体管的所述上部源极/漏极区域耦合；及

主体连接线，其位于所述字线上方且与所述字线平行地延伸；所述主体连接线具有穿透到所述竖直延伸半导体柱中的横向边缘且包括不同于所述竖直延伸半导体柱的组成。

6.根据权利要求5所述的设备，其中所述主体连接线全部保持在共同电压下。

7.根据权利要求5所述的设备，其中所述主体连接线包括多晶硅且所述竖直延伸半导体柱包括单晶硅。

8.根据权利要求5所述的设备，其中所述可编程装置包括电荷存储装置。

9.根据权利要求5所述的设备，其中所述可编程装置包括电容器。

10.根据权利要求9所述的设备，其中所述电容器与存取晶体管一起构成1晶体管1电容器1T1C存储器单元。

11.根据权利要求9所述的设备，其中所述电容器与存取晶体管一起构成2晶体管1电容器2T1C存储器单元。

12.根据权利要求5所述的设备，其中所述竖直延伸半导体柱从半导体材料的基底向上延伸；且其中所述数字线包括沿着所述列且在所述半导体柱的下部区域内的所述半导体材料的基底上面延伸的经导电掺杂区域。