[发明专利]半导体器件以及包括该半导体器件的发光器件封装

权利要求书

1.一种半导体器件，包括

第一半导体层；

第二半导体层，设置在第一半导体层上并包括V形坑；

有源层，设置在第二半导体层上；

第三半导体层，位于所述有源层上，具有比有源层的带隙宽的带隙；

第四半导体层，设置在第三半导体层上；和

第五半导体层，位于第四半导体层上，具有比第四半导体层的带隙宽的带隙；

其中第三半导体层和第五半导体层包含铝组分，

其中第五半导体层的带隙等于或宽于第三半导体层的带隙；

所述第四半导体层具有低于第三半导体层和第五半导体层的带隙。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述有源层包括设置在所述V形坑上的第一区域，以及设置在所述第一区域和所述V形坑之外的第二区域，

其中第二区域被设置为高于第一区域。

3.根据权利要求2所述的半导体器件，其中在所述有源层和所述第二半导体层之间包括第七半导体层，

其中，第七半导体层具有多个半导体层对交替设置的结构，所述半导体层对由包括GaN、InN、AlN、InGaN、AlGaN、InAlGaN和AlInN的化合物半导体中的至少两种制成。

4.根据权利要求3所述的半导体器件，其中所述第三半导体层包括V形坑，

其中，第三半导体层的设置在V形坑上的第一区域设置为低于第三半导体层的设置在V形坑外的第二区域。

5.根据权利要求4所述的半导体器件，其中第三半导体层的第一区域比第三半导体层的第二区域薄。

6.根据权利要求1所述的半导体器件，其中第四半导体层包括V形坑，

其中第四半导体层的第一区域设置在V形坑上，并且

其中第四半导体层的第二区域设置在V形坑外。

7.根据权利要求6所述的半导体器件，其中第四半导体层的第一区域的厚度小于第四半导体层的第二区域的厚度。

8.根据权利要求1所述的半导体器件，其中第六半导体层设置在第五半导体层上，

其中第六半导体层设置在V形坑上。

9.根据权利要求8所述的半导体器件，其中第六半导体层具有平坦的上表面。