[发明专利]用于晶片键合的牺牲对齐环和自焊接过孔

权利要求书

1.一种将第一基底键合到第二基底的方法，其中所述第一基底包括在所述第一基底的顶部表面上的第一电接触件以及在所述顶部表面上的第三电接触件，并且其中所述第二基底包括位于所述第二基底的底部表面上的第二电接触件，所述方法包括：

在所述第一基底的所述顶部表面上形成聚酰亚胺块，其中所述聚酰亚胺块具有圆形的上角；

将所述第一基底的顶部表面和所述第二基底的底部表面朝彼此垂直移动，直至所述第一电接触件邻接所述第二电接触件，其中在所述移动期间，所述第二基底与所述聚酰亚胺的圆形的上角接触，致使所述第一基底和所述第二基底相对于彼此横向移动；

在所述第三电接触件上形成铝垫，其中所述聚酰亚胺块的一部分直接位于所述铝垫上；以及

将导线连接到所述铝垫。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述聚酰亚胺块具有环形形状，所述环形形状环绕所述第一电接触件。

3.根据权利要求1所述的方法，还包括：

形成设置在所述聚酰亚胺块与所述第一基底之间的无机材料层。

4.根据权利要求3所述的方法，其中所述无机材料为以下中的一种：氧化物和氮化物。

5.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一电接触件中的每个包括Sn-Cu材料。

6.根据权利要求5所述的方法，其中所述Sn-Cu材料包括按总组合物的百分比介于0.5％至5％之间的Cu。

7.根据权利要求5所述的方法，其中所述第一电接触件中的每个还包括与所述Sn-Cu材料接触的金属块。

8.根据权利要求5所述的方法，还包括：

将热量施加到所述第一电接触件和所述第二电接触件，使得在所述第一电接触件中的每个与所述第二电接触件中的一个之间形成焊料连接。

9.根据权利要求1所述的方法，还包括：

在所述移动之后移除所述聚酰亚胺块。

10.根据权利要求1所述的方法，其中所述聚酰亚胺块的形成包括：

在所述第一基底的顶部表面上形成聚酰亚胺层；

将所述聚酰亚胺层的部分暴露于光；以及

移除所述聚酰亚胺层的暴露于光的所述部分。

11.一种将第一基底键合到第二基底的方法，其中所述第一基底包括在所述第一基底的顶部表面上的第一电接触件以及在所述顶部表面上的第三电接触件，并且其中所述第二基底包括在所述第二基底的底部表面上的第二电接触件，所述方法包括：

在所述第一基底的顶部表面上且在所述第一电接触件上形成第一材料；

形成延伸穿过所述第一材料的过孔，以暴露所述第一电接触件；

在所述过孔中形成Sn-Cu材料；

在所述第一基底的所述顶部表面上形成聚酰亚胺层；

选择性地移除所述聚酰亚胺层的一个或多个部分，在所述第一基底的所述顶部表面上留下所述聚酰亚胺块，其中所述聚酰亚胺块具有圆形的上角；

使所述第一基底的顶部表面和所述第二基底的底部表面朝彼此垂直移动，直至所述Sn-Cu材料邻接所述第二电接触件，其中在所述移动期间，所述第二基底与所述聚酰亚胺的圆形的上角接触，致使所述第一基底和所述第二基底相对于彼此横向移动；

在所述第三电接触件上形成铝垫，其中所述聚酰亚胺块的一部分直接位于所述铝垫上；以及

将导线连接到所述铝垫。

12.根据权利要求11所述的方法，其中所述聚酰亚胺块具有环形形状，所述环形形状环绕所述第一电接触件。

13.根据权利要求11所述的方法，还包括：

在所述聚酰亚胺块与所述第一基底之间形成无机材料层。