[发明专利]半导体集成电路有效
申请号: | 201880016167.3 | 申请日: | 2018-02-22 |
公开(公告)号: | CN110431629B | 公开(公告)日: | 2022-10-28 |
发明(设计)人: | 广濑雅庸 | 申请(专利权)人: | 株式会社索思未来 |
主分类号: | G11C5/14 | 分类号: | G11C5/14;G06F12/00;G11C7/10 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 韩丁 |
地址: | 日本神*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 集成电路 | ||
在采用了电源门控的半导体集成电路中,控制输入信号(SLP)经由传输路径(11)传输到电源开关(10),并经由传输路径(21)传输到电源开关(20)。恢复判断电路(40)接收传输路径(11)的信号(SLP_H)和传输路径(21)的信号(SLP_V),并生成控制输出信号(SLP_O)。当控制输入信号(SLP)进行恢复转变时,恢复判断电路(40)按照信号(SLP_H、SLP_V)的恢复转变较晚的时刻,使控制输出信号(SLP_O)进行恢复转变。
技术领域
本发明涉及一种实现半导体集成电路的低功耗化的技术。
背景技术
作为实现半导体集成电路的低功耗化的技术之一,已知有电源门控(powergating)技术。电源门控是这样一种技术,即,对于半导体集成电路内没有动作的电路部分切断电源,从而谋求减少漏电流。
在专利文献1中,公开了如下结构,即,用于进行各电路部分的电源切断的电源门控开关串联,控制电源切断的休眠信号被依次传递。
专利文献1:美国专利第9,329,669号公报
发明内容
-发明要解决的技术问题-
在采用电源门控的半导体集成电路中,当使某电路部分从电源切断状态恢复时,会产生所谓的冲击电流。这样一来,例如,当使多个电路部分同时从电源切断状态恢复时,在半导体集成电路内就会产生较大的冲击电流,由此导致电源电位下降,使得引起半导体集成电路的误动作的可能性变高。
另一方面,作为避免出现该冲击电流的问题的方法,已知使电源门控开关缓慢接通的方法、将电源门控开关分组后依次使其接通的方法等。例如,在专利文献1的结构下,通过增大各个电源门控开关的延迟,能够使电源恢复时刻错开,而使冲击电流的产生分散开。但是,在这些方法中,存在如下问题,即,整个半导体集成电路的电源恢复所需的时间变长。
本公开的目的在于:提供一种既能将采用了电源门控的半导体集成电路的电源恢复所需的时间抑制得较短,又能抑制冲击电流的影响的结构。
-用以解决技术问题的技术方案-
本公开的一方面发明所涉及的半导体集成电路包括电路块,该电路块具有布置在第一方向上的一个或多个第一电源开关、和布置在第二方向上的一个或多个第二电源开关,所述电路块包括:第一传输路径,其将控制输入信号传输到所述第一电源开关,其中,所述控制输入信号为提供给该电路块的、对所述第一电源开关和所述第二电源开关进行通断控制的电源控制信号;第二传输路径,其将所述控制输入信号传输到所述第二电源开关;以及恢复判断电路,其接收第一信号和第二信号,并生成控制输出信号,其中,所述第一信号为对应于所述第一传输路径中的延迟而延迟了的所述控制输入信号,所述第二信号为对应于所述第二传输路径中的延迟而延迟了的所述控制输入信号,所述控制输出信号为从该电路块输出的所述电源控制信号。所述恢复判断电路在所述控制输入信号进行恢复转变时,按照所述第一信号进行所述恢复转变的时刻和所述第二信号进行所述恢复转变的时刻中较晚的时刻,使所述控制输出信号进行所述恢复转变,其中,所述恢复转变为使所述第一电源开关和所述第二电源开关从断开状态切换到接通状态的信号转变。
根据该方面发明,在电路块中,提供给该电路块的电源控制信号即控制输入信号经由第一传输路径传输到第一电源开关,并经由第二传输路径传输到第二电源开关。恢复判断电路接收第一信号和第二信号,当控制输入信号进行恢复转变时,按照第一信号进行恢复转变的时刻和第二信号进行恢复转变的时刻中较晚的时刻,使控制输出信号进行恢复转变,所述恢复转变为使第一电源开关和第二电源开关从断开状态切换到接通状态的信号转变,所述第一信号为对应于第一传输路径中的延迟而延迟了的控制输入信号,所述第二信号为对应于第二传输路径中的延迟而延迟了的控制输入信号。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社索思未来,未经株式会社索思未来许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201880016167.3/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。