[发明专利]半导体装置及半导体装置的制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置，包括：

衬底上的第一绝缘体；

所述第一绝缘体上的氧化物；

所述氧化物上的第二绝缘体；

所述第二绝缘体上的导电体；

与所述第二绝缘体的侧面及所述导电体的侧面接触的第三绝缘体；

至少与所述氧化物的顶面接触且与所述第三绝缘体的侧面及所述导电体的顶面接触的第四绝缘体；

所述第四绝缘体上的第五绝缘体；

所述第五绝缘体上的第六绝缘体；以及

所述第六绝缘体上的第七绝缘体，

其中，所述第六绝缘体包含氧，

并且，所述第六绝缘体和所述第一绝缘体具有彼此接触的区域。

2.一种半导体装置，包括：

衬底上的第一绝缘体；

所述第一绝缘体上的第一氧化物；

所述第一氧化物上的第二氧化物；

所述第二氧化物上的第三氧化物；

所述第三氧化物上的第二绝缘体；

所述第二绝缘体上的导电体；

与所述第二绝缘体的侧面及所述导电体的侧面接触的第三绝缘体；

至少与所述第二氧化物的顶面接触且与所述第三氧化物的侧面、所述第三绝缘体的侧面及所述导电体的顶面接触的第四绝缘体；

所述第四绝缘体上的第五绝缘体；

所述第五绝缘体上的第六绝缘体；以及

所述第六绝缘体上的第七绝缘体，

其中，所述第六绝缘体包含氧，

所述第六绝缘体和所述第一绝缘体具有彼此接触的区域，

所述第三氧化物与所述第二绝缘体相比不容易使氧透过，

并且，所述第三氧化物与所述第二氧化物相比不容易使氧透过。

3.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其中所述第三绝缘体、所述第五绝缘体及所述第七绝缘体包含铝和铪中的一方或双方的氧化物。

4.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述导电体的侧面与所述氧化物的底面之间形成的角度为75度以上且100度以下。

5.根据权利要求1所述的半导体装置，

其中所述氧化物在侧面与顶面之间具有弯曲面，

并且所述弯曲面的曲率半径为3nm以上且10nm以下。

6.根据权利要求1所述的半导体装置，

其中所述氧化物包含In、元素M及Zn，

并且元素M为Al、Ga、Y或Sn。

7.根据权利要求1所述的半导体装置，

其中所述氧化物包括第一区域和与所述第二绝缘体重叠的第二区域，

所述第一区域的至少一部分与所述第四绝缘体接触，

并且所述第一区域的氢和氮中的至少一个的浓度大于所述第二区域。

8.根据权利要求7所述的半导体装置，其中所述第二区域包括与所述第三绝缘体及所述第二绝缘体重叠的部分。

9.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其中所述导电体包含导电氧化物。

10.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其中所述第四绝缘体包含氢和氮中的一方或双方。

11.一种半导体装置的制造方法，包括如下步骤：

在衬底上形成第一绝缘体；

在所述第一绝缘体上形成氧化物层；

在所述氧化物层上依次形成第一绝缘膜及导电膜；

对所述第一绝缘膜及所述导电膜进行蚀刻，来形成第二绝缘体及导电体；

以覆盖所述第一绝缘体、所述氧化物层、所述第二绝缘体及所述导电体的方式利用ALD法形成第二绝缘膜；

对所述第二绝缘膜进行干蚀刻处理，来形成与所述第二绝缘体的侧面及所述导电体的侧面接触的第三绝缘体；

以覆盖所述第一绝缘体、所述氧化物层、所述第三绝缘体及所述导电体的方式利用PECVD法形成第三绝缘膜；

在所述第三绝缘膜上形成第四绝缘膜；

以包围所述氧化物层的方式对所述第三绝缘膜及所述第四绝缘膜进行加工，来形成第四绝缘体及第五绝缘体；

在所述第五绝缘体上形成第六绝缘体；以及

在所述第六绝缘体上利用溅射法形成第七绝缘体。