[发明专利]电流传感器装置和方法在审

专利信息
申请号: 201880016349.0 申请日: 2018-02-20
公开(公告)号: CN110383082A 公开(公告)日: 2019-10-25
发明(设计)人: N·克罗鲍尼基;L·基施特 申请(专利权)人: 哈廷电子有限公司及两合公司
主分类号: G01R15/20 分类号: G01R15/20;H01R13/66
代理公司: 北京思益华伦专利代理事务所(普通合伙) 11418 代理人: 佟巍;赵飞
地址: 德国埃斯*** 国省代码: 德国;DE
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摘要:
搜索关键词: 插接连接器 电流传感器装置 触头引线 电触头 磁场传感器 屏蔽区域 测量 磁屏蔽件 电流测量 外部磁场 延伸穿过 配置 屏蔽 磁场
【权利要求书】:

1.一种电流传感器装置(15),其用于测量通过插接连接器中的电触头或触头引线(L1、L2、L3)的相应电流,包括:

多个磁场传感器(5),每个磁场传感器均配置为测量所述插接连接器中的磁场强度,和

磁屏蔽件(7、7'、7”),其至少部分地围成连续的屏蔽区域(A)以屏蔽外部磁场,

其中,所述多个磁场传感器(5)布置在所述屏蔽区域(A)中,并且所述电流传感器装置(15)配置为使得所述电触头或触头引线(L1、L2、L3)一起延伸穿过所述屏蔽区域(A)。

2.根据权利要求1所述的电流传感器装置(15),其中,所述磁屏蔽件(7、7'、7”)的至少一部分附接在用于接收所述插接连接器的一个或多个模块(1、1')的所述插接连接器的保持框架(9、9'、9”)中或其上、和/或是所述保持框架(9、9'、9”)的一部分。

3.根据权利要求1或2所述的电流传感器装置(15),其中,所述磁屏蔽件(7、7'、7”)的至少一部分附接在所述插接连接器的壳体中或壳体上、和/或是所述壳体的一部分。

4.根据前述权利要求中任一项所述的电流传感器装置(15),其中,所述屏蔽区域(A)在横向于相应电流的电流方向的平面中延伸。

5.根据前述权利要求中任一项所述的电流传感器装置(15),其中,所述磁场传感器(5)是霍尔元件(5)或具有霍尔元件(5)。

6.根据前述权利要求中任一项所述的电流传感器装置(15),其中,所述屏蔽件(7、7'、7”)包括软磁材料、尤其是高导磁合金、或由其构成。

7.根据前述权利要求中任一项所述的电流传感器装置(15),包括连接到所述磁场传感器(5)的计算模块(3),其用于由所述磁场传感器(5)的测量信号确定相应电流。

8.一种插接连接器,其包括电触头或触头引线以及根据前述权利要求中任一项所述的电流传感器装置(15),其中所述电触头或触头引线(L1、L2、L3)延伸穿过所述电流传感器装置(15)的屏蔽区域(A)。

9.一种用于插接连接器的保持框架(9、9'、9”),其用于接收相同的和/或不同的模块(1、1'),所述插接连接器包括用于测量通过所述插接连接器中的电触头或触头引线(L1、L2、L3)的相应电流的电流传感器装置(15),所述电流传感器装置(15)包括多个磁场传感器(5),每个磁场传感器配置为测量所述插接连接器中的磁场强度,

其中,所述保持框架(9、9'、9”)具有磁屏蔽件(7、7'、7”),所述磁屏蔽件至少部分地围成连续的屏蔽区域(A)以屏蔽外部磁场,并且

其中,所述保持框架(9、9'、9”)配置为将所述多个磁场传感器(5)和所述电触头或触头引线(L1、L2、L3)容纳在所述屏蔽区域(A)中。

10.一种准备测量通过插接连接器中的电触头或触头引线(L1、L2、L3)的相应电流的方法,包括步骤:

布置(20)多个磁场传感器(5),每个磁场传感器配置为测量所述插接连接器中的磁场强度,和

布置(25)磁屏蔽件(7、7'、7”),以使连续的屏蔽区域(A)屏蔽外部磁场(Mx),

其中布置(25)磁屏蔽件(7、7'、7”)实施为使得所述屏蔽件(7、7'、7”)至少部分地围成所述屏蔽区域(A),使得所述多个磁场传感器(5)布置在所述屏蔽区域(A)中并且所述电触头或触头引线(L1、L2、L3)一起延伸穿过所述屏蔽区域(A)。

11.一种测量通过插接连接器中的电触头或触头引线的相应电流的方法,包括:根据权利要求10所述的准备测量的方法的步骤,和由所述磁场传感器(5)的测量信号确定(30)电流的步骤。

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