[发明专利]蚀刻装置

说明书

本发明的课题在于提供实现了抑制III族氮化物半导体的过度蚀刻的蚀刻装置。作为解决本发明课题的方法涉及一种蚀刻装置(1000)，其具有处理室(1001)、基座(1100)、气体供给部(1500)、等离子体产生部(1300)以及第一电位赋予部(1200)。等离子体产生部(1300)产生感应耦合等离子体。第一气体为包含Cl₂和BCl₃的氯系混合气体。BCl₃在第一气体中所占的体积比越大，则第一电位赋予部(1200)对于基座(1100)赋予的偏压的绝对值越小。第一电位赋予部(1200)以满足‑1200·X+290≤Vpp≤‑1200·X+480的方式将偏压赋予至基座(1100)。

技术领域

本说明书的技术领域涉及对III族氮化物半导体进行蚀刻的蚀刻装置。

背景技术

GaN所代表的III族氮化物半导体被应用于例如LED。此外，III族氮化物半导体具备高绝缘击穿强度、高耐热性、高速工作性。因此，作为功率器件的应用备受期待。

在将III族氮化物半导体应用于功率器件时，有时要对III族氮化物半导体进行蚀刻。作为其一例，可举出例如在III族氮化物半导体中形成沟槽(trench)的情况。因此，开发了对III族氮化物半导体进行蚀刻的技术。例如，专利文献1中公开了使基板温度为200℃以上600℃以下，使用包含Cl₂的气体进行干蚀刻的技术。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2014-45049号公报

发明内容

发明所要解决的课题

然而，专利文献1的技术中，有III族氮化物半导体过度蚀刻的担忧。即，掩模下层的III族氮化物半导体会变变窄。在该情况下，其变窄的部位的机械强度会变弱。此外，有电场集中于该变窄的部位的担忧。因此，优选抑制III族氮化物半导体的过度蚀刻。

本说明书的技术是为了解决上述现有技术所具有的问题而提出的。其课题在于提供实现了抑制III族氮化物半导体的过度蚀刻的蚀刻装置。

用于解决课题的方法

第一方式中的蚀刻装置具有对III族氮化物半导体进行蚀刻的处理室、保持III族氮化物半导体的基板保持部、向处理室的内部供给第一气体的气体供给部、将第一气体进行等离子体化的等离子体产生部以及对于基板保持部赋予高频电位的第一电位赋予部。第一气体为包含Cl₂和BCl₃的氯系混合气体。BCl₃在第一气体中所占的体积比越大，第一电位赋予部对于基板保持部赋予的偏压的绝对值越小。第一电位赋予部以满足下式的方式将偏压赋予至基板保持部，

Vpp≤-1200·X+480

Vpp≥-1200·X+290

0.01≤X≤0.4

Vpp：偏压(V)

X：BCl₃在第一气体中所占的体积比。

在该蚀刻装置中，BCl₃在第一气体中所占的体积比越大，第一电位赋予部对于基板保持部赋予的偏压的绝对值越小。因此，几乎没有将掩模正下方的III族氮化物半导体进行过度蚀刻的担忧。即，掩模正下方的III族氮化物半导体的宽度与掩模的宽度基本上相同。

发明效果

本说明书中，提供实现了抑制III族氮化物半导体的过度蚀刻的蚀刻装置。

附图说明

图1为表示第一实施方式的蚀刻装置的概略构成的图。