[发明专利]光刻装置及方法

权利要求书

1.一种光刻装置的对准方法，所述光刻装置包括基板台和两个曝光装置，所述基板台用于承载一基板，所述两个曝光装置位于所述基板台的上方；每个所述曝光装置包括掩膜台、基板对准装置和物镜，其中所述掩膜台用于承载一掩膜版，所述基板对准装置位于所述基板台的上方，所述基板对准装置用于测量一基板相对所述基板台的位置，其特征在于，所述对准方法包括：

步骤1、将基板放置于基板台上；

步骤2、各所述曝光装置的基板对准装置获取所述基板与所述基板台之间的位置关系，并根据所述位置关系控制至少一个所述掩膜台运动，以补偿所述基板相对所述基板台的位置偏差。

2.如权利要求1所述的对准方法，其特征在于，每个所述曝光装置还包括位于所述基板台上方的垂向测量传感器，用于测量所述基板的面形；在所述步骤2之前或之后还包括步骤a：至少一个所述曝光装置的垂向测量传感器测量所述基板的整体面形，以执行基板的全局调平。

3.如权利要求2所述的对准方法，其特征在于，所述步骤a中，根据至少一个所述曝光装置的垂向测量传感器测得的所述基板上各测量点的位置以及基板对准最佳焦面来执行基板的全局调平。

4.如权利要求3所述的对准方法，其特征在于，所述步骤a包括：由至少一个所述曝光装置中的垂向测量传感器测量所述基板上测量点的位置(x_i,y_i,z_i)，i＝1,2,…,n，n为自然数，将所有测量点的位置(x_i,y_i,z_i)代入平面拟合模型z_i＝wz-wwy·x_i+wwx·y_i，拟合得到所述基板的全局拟合面，其中wz为所述全局拟合面高度值，wwx为所述全局拟合面的X向倾斜值，wwy为所述全局拟合面的Y向倾斜值，再根据所述基板的全局拟合面与所述基板对准最佳焦面之间的差值执行所述基板的全局调平。

5.如权利要求3或4所述的对准方法，其特征在于，所述基板对准最佳焦面为各曝光装置中物镜的参考焦面的平均值。

6.如权利要求1所述的对准方法，其特征在于，所述基板台还包括多块基准板，每一所述曝光装置对应至少一块基准板，所述步骤2中获取所述基板与所述基板台之间的位置关系包括：所述基板对准装置测量对应的基准板上的基准板标记的位置以获得所述基板对准装置相对所述基板台的位置。

7.如权利要求1所述的对准方法，其特征在于，步骤2中获取所述基板与所述基板台之间的位置关系还包括：

将所述两个曝光装置对应的基板区域分别定义为基板第一区域和基板第二区域，所述两个曝光装置的基板对准装置分别测量所述基板第一区域和所述基板第二区域的基板对准标记的位置；

根据所述基板第一区域的基板对准标记的测量位置和名义位置，以及所述基板第二区域的基板对准标记的测量位置和名义位置计算所述基板相对所述基板台的位置偏差。