[发明专利]半导体激光装置、半导体激光模块以及焊接用激光源系统

权利要求书

1.一种半导体激光装置，在基板的主面的上方，具备第1导电侧半导体层、活性层以及第2导电侧半导体层被依次层叠的层叠构造体，以多横向模式进行激光振荡，

所述第2导电侧半导体层具有电流阻挡层，所述电流阻挡层具有用于划定电流注入区域的开口部，

在所述层叠构造体中的从所述第1导电侧半导体层的一部分到所述第2导电侧半导体层的部分形成一对侧面，

所述活性层具有比所述开口部的第1宽度宽的第2宽度，

所述第1导电侧半导体层的至少一部分中的所述一对侧面相对于所述基板的主面倾斜，

对于在所述层叠构造体中导波的光，所述基板的主面的法线方向上的光分布的最大强度位置处于所述第1导电侧半导体层内，

所述一对侧面分别具有位于接近于所述基板的一侧的第1侧面、位于远离所述基板的一侧的第2侧面，

所述第1侧面的法线方向与所述基板的主面的法线方向所成的角θ1小于90度，

所述第2侧面的法线方向与所述基板的主面的法线方向所成的角θ2大于90度。

2.根据权利要求1所述的半导体激光装置，其中，

所述第2侧面的法线方向与所述基板的主面的法线方向所成的角θ2为120°≤θ2≤150°。

3.根据权利要求1所述的半导体激光装置，其中，

所述层叠构造体在从被所述一对侧面夹着的所述第1导电侧半导体层的一部分到所述第2导电侧半导体层之间具有最窄部，

所述最窄部的宽度大于所述第1宽度。

4.根据权利要求3所述的半导体激光装置，其中，

所述最窄部被形成于所述第2导电侧半导体层内。

5.根据权利要求3所述的半导体激光装置，其中，

所述第2导电侧半导体层在所述基板之上，依次具有第2导电侧的第1半导体层、第2导电侧的第2半导体层以及第2导电侧的接触层，

所述电流阻挡层被设置于所述第2导电侧的接触层内，

所述最窄部被形成于所述第2导电侧的第2半导体层与所述第2导电侧的接触层的界面附近。

6.根据权利要求1所述的半导体激光装置，其中，

所述第1导电侧半导体层在所述基板之上，依次具有第1导电侧的第1半导体层以及第1导电侧的第2半导体层，

若将所述一对侧面的一个与所述基板的主面所成的角度设为θ[°]，

将从所述活性层到所述第1导电侧的第1半导体层与所述第1导电侧的第2半导体层的界面的膜厚设为d[μm]，

将在所述层叠构造体中导波的光的光分布的宽度设为Nw[μm]，

将所述第1宽度即开口宽度设为Ws，

将从所述一对侧面的所述一个侧面与所述活性层以及所述第1导电侧的第2半导体层的界面的交点到所述电流阻挡层的开口部侧面的距离设为X[μm]，则满足以下的关系式，

[数学式1]

7.根据权利要求1所述的半导体激光装置，其中，

若将所述第1导电侧半导体层中的第1导电侧的第1半导体层以及所述第1导电侧的第1半导体层之上的第1导电侧的第2半导体层、和所述第2导电侧半导体层中的第2导电侧的第1半导体层以及所述第2导电侧的第1半导体层之上的第2导电侧的第2半导体层的折射率分别设为n₁₁、n₁₂、n₂₁、n₂₂，则满足如下关系式：

n₂₂＜n₁₁＜n₁₂，

n₁₂≥n₂₁。

8.根据权利要求1所述的半导体激光装置，其中，

所述一对侧面被介电膜覆盖。

9.根据权利要求1所述的半导体激光装置，其中，

所述活性层具有包含单一或者多个量子阱层的量子阱构造，

所述活性层中的所述量子阱层的合计膜厚为100埃以下。