[发明专利]液晶显示设备、制造液晶显示设备的方法、及投影显示装置有效
申请号: | 201880017379.3 | 申请日: | 2018-02-02 |
公开(公告)号: | CN110418998B | 公开(公告)日: | 2022-06-28 |
发明(设计)人: | 八木宽雄 | 申请(专利权)人: | 索尼公司 |
主分类号: | G02F1/1337 | 分类号: | G02F1/1337;G02F1/13357 |
代理公司: | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人: | 吴孟秋 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 液晶显示 设备 制造 方法 投影 显示装置 | ||
1.一种液晶显示设备,包括:
一对基板,彼此相对;
液晶层,插入在所述一对基板之间;
无机氧化物层,插入在所述液晶层与所述一对基板中的至少一个基板之间;
硅烷偶联层,插入在所述液晶层与所述无机氧化物层之间;以及
金属氧化物层,插入在所述无机氧化物层与所述硅烷偶联层之间,
其中,所述无机氧化物层包括取向膜。
2.根据权利要求1所述的液晶显示设备,其中,所述硅烷偶联层经由所述金属氧化物层与所述无机氧化物层形成共价键。
3.根据权利要求1所述的液晶显示设备,其中,在所述金属氧化物层中,堆叠有一个原子层至十个原子层的金属氧化物分子。
4.根据权利要求1所述的液晶显示设备,其中,所述金属氧化物层具有5nm以下的膜厚度。
5.根据权利要求1所述的液晶显示设备,其中,所述金属氧化物层使用透光材料形成。
6.根据权利要求5所述的液晶显示设备,其中,所述透光材料包括氧化铝(Al2O3)、氧化铪(HfO3)、氧化锆(ZrO2)、以及氧化钽(Ta2O5)中的任一种。
7.根据权利要求1所述的液晶显示设备,其中,所述硅烷偶联层使用以下通式(1)表示的硅烷偶联材料形成:
其中,
X表示甲氧基(-OCH3)、乙氧基(-OC2H5)、氯原子(Cl)、以及氨基(-NH2)中的任一种,
B和C各自单独地表示甲氧基(-OCH3)、乙氧基(-OC2H5)、氯原子(Cl)、以及氨基(-NH2)中的任一种,或者各自单独表示各具有一至三个碳原子的烷基、烯基、以及烷氧基中的任一种,并且
A表示各自具有6至20个碳原子的烷基、烯基、以及烷氧基中的任一种,或者除配置所述烷基、所述烯基、以及所述烷氧基的碳链两端的碳原子以外的碳原子被氧取代的基,或者配置所述烷基、所述烯基、以及所述烷氧基的氢原子中的至少一个或多个氢原子被卤素原子取代的基。
8.根据权利要求1所述的液晶显示设备,其中,
所述一对基板包括设置有多个像素电极的像素电路基板和与所述像素电路基板相对的对置基板,并且
所述金属氧化物层至少设置在所述像素电路基板侧上。
9.一种制造液晶显示设备的方法,所述方法包括:
在一对基板中的至少一个基板上形成无机氧化物层;
在所述无机氧化物层上形成金属氧化物层;
在所述金属氧化物层上形成硅烷偶联层;
将所述一个基板与另一基板设置为彼此相对,间隙位于其间;并且
在所述间隙中形成液晶层,
其中,所述无机氧化物层包括取向膜。
10.根据权利要求9所述的制造液晶显示设备的方法,其中,形成所述金属氧化物层包括通过原子层沉积方法形成。
11.一种投影显示装置,包括:
光源;
液晶显示设备,包括调制来自光源的光并且输出对应于图片的光的像素区域;以及
投影透镜,基于由所述液晶显示设备输出的光来投射所述图片,
所述液晶显示设备包括:
一对基板,彼此相对,
液晶层,插入在所述一对基板之间,
无机氧化物层,插入在所述液晶层与所述一对基板中的至少一个基板之间,
硅烷偶联层,插入在所述液晶层与所述无机氧化物层之间,以及
金属氧化物层,插入在所述无机氧化物层与所述硅烷偶联层之间,
其中,所述无机氧化物层包括取向膜。
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