[发明专利]CuNi合金溅射靶及CuNi合金粉末

说明书

本发明提供一种CuNi合金溅射靶，其特征在于，具有如下组成：在16质量％以上且55质量％以下的范围内含有Ni，剩余部分由Cu及不可避免的杂质构成，在所述不可避免的杂质中，Si、Al、Mg及Zr的含量分别为30质量ppm以下，晶体粒径的偏差为40％以下，并且不具有磁性。

技术领域

本发明涉及一种CuNi合金溅射靶及CuNi合金粉末。

本申请主张基于2017年5月9日在日本申请的专利申请2017-093117号及2018年4月17日在日本申请的专利申请2018-079221号的优先权，并将其内容援用于此。

背景技术

包含Cu和Ni的CuNi合金膜用作液晶面板和触摸面板等显示装置中的金属布线的保护膜。CuNi合金膜一般通过使用CuNi合金溅射靶的溅射法来形成。

在专利文献1中，公开了一种CuNi合金溅射靶，其为25.0质量％≤Cu≤45.0质量％、以及Co和/或Mo的含量以总量计含有1.0质量％以上且5.0质量％以下，剩余部分由Ni及不可避免的杂质构成的CuNi合金溅射靶。并且，在专利文献2中，公开了一种CuNi合金溅射靶，其为含有30.0质量％≤Cu≤55.0质量％、以及3.0质量％≤Cr≤5.0质量％，剩余部分由Ni及不可避免的杂质构成的CuNi合金溅射靶。在专利文献1、2中，作为CuNi合金溅射靶的制造方法而记载有铸造法。

专利文献1：日本专利第5532767号公报

专利文献2：日本专利第5895370号公报

Cu和Ni是完全固溶体系，能够以全部量(完全)彼此溶解而无固溶度限制。然而，利用专利文献1、2中所记载的铸造法制造的CuNi合金溅射靶具有如下倾向，即，根据铸造时的冷却速度而生成的晶体粒径容易产生偏差。若CuNi合金溅射靶的晶体粒径的偏差大，则在利用溅射法成膜时，成膜率容易变动，可能导致所获得的CuNi合金膜的膜厚变得不均匀。

最近，形成显示装置的布线膜的基板正越发大型化，与此同时，作为CuNi合金溅射靶，希望是大型且能够连续高速地成膜的溅射靶。然而，由于Ni具有磁性，因此若将CuNi合金溅射靶大型化，尤其是加厚厚度，则会产生磁性，从而使用能够高速成膜的DC(直流)溅射装置的成膜可能会变得困难。

由于大型溅射靶在成膜时会投入大功率，因此可能会容易产生异常放电。希望成膜的CuNi合金膜在长时间内稳定且不易腐蚀，即耐腐蚀性高。

发明内容

本发明是鉴于上述情况而完成的，其目的在于提供一种CuNi合金溅射靶，该CuNi合金溅射靶在利用溅射法成膜时不易引起异常放电，即使在大型化尤其是加厚厚度的情况下也能够形成膜厚均匀性和耐腐蚀性高的CuNi合金膜。并且，本发明的目的在于提供一种能够有利地用作上述CuNi合金溅射靶的制造原料的CuNi合金粉末。

为了解决上述问题，作为本发明的第1方案的CuNi合金溅射靶具有如下组成：在16质量％以上且55质量％以下的范围内含有Ni，剩余部分由Cu及不可避免的杂质构成。在所述不可避免的杂质中，Si、Al、Mg及Zr的含量分别为30质量ppm以下，晶体粒径的偏差为40％以下，并且不具有磁性。

根据该结构的CuNi合金溅射靶，由于含有16质量％以上的Ni，因此能够形成耐腐蚀性高的CuNi合金膜。并且，由于Ni的含量为55质量％以下，因此即使在大型化尤其加厚厚度的情况下也不易产生磁性。

由于Si、Al、Mg及Zr的含量在不可避免的杂质中分别低至30质量ppm以下，因此在利用溅射法成膜时不易引起异常放电。

由于晶体粒径的偏差小至40％以下，因此成膜的CuNi合金膜的膜厚均匀性变高。

本发明的CuNi合金溅射靶中，所述Si、所述Al、所述Mg及所述Zr的合计含量优选为30质量ppm以下。