[发明专利]存储器单元及集成式结构

权利要求书

1.一种存储器单元，其按以下次序包括：

沟道材料；

电荷通过结构；

电荷存储材料；

电荷阻挡区域；

控制栅极；且

所述电荷通过结构包括：

第一材料，其最靠近于所述沟道材料；第三材料，其距所述沟道材料最远；及第二材料，其介于所述第一材料与所述第三材料之间；

所述第一材料的介电常数(k)小于5.0；

所述第二材料的能带隙(BG)与电子亲和力(chi)的和不大于6.7eV，所述第二材料的k是至少5.0；且

所述第三材料的BG与chi的和小于9.0eV且比所述第二材料的所述BG与所述chi的所述和大至少0.5eV。

2.根据权利要求1所述的存储器单元，其中所述第一材料直接抵靠所述第二材料且所述第二材料直接抵靠所述第三材料。

3.根据权利要求2所述的存储器单元，其中所述第一材料直接抵靠所述沟道材料且所述第三材料直接抵靠所述电荷存储材料。

4.根据权利要求1所述的存储器单元，其中所述第一材料的所述k是至少3.5。

5.根根据权利要求4所述的存储器单元，其中所述第一材料的至少大部分是氧化硅。

6.根据权利要求1所述的存储器单元，其中所述第二材料的所述BG与所述chi的所述和是至少4.5eV。

7.根据权利要求6所述的存储器单元，其中所述第二材料的所述BG与所述chi的所述和是至少5.0eV。

8.根据权利要求6所述的存储器单元，其中所述第二材料的所述BG与所述chi的所述和不大于6.5eV。

9.根据权利要求8所述的存储器单元，其中所述第二材料的所述BG与所述chi的所述和不大于6.0eV。

10.根据权利要求1所述的存储器单元，其中所述第二材料的所述k不大于60.0。

11.根据权利要求10所述的存储器单元，其中所述第二材料的所述k是从10.0到40.0。

12.根据权利要求11所述的存储器单元，其中所述第二材料的所述k是从10.0到25.0。

13.根据权利要求10所述的存储器单元，其中所述第二材料包括铪、锆、钽、铌或钛的氧化物、硅酸盐、铝酸盐及五倍子酸盐中的至少一者，包含铪、锆、钽、铌及钛中的两者或多于两者的混合物。

14.根据权利要求13所述的存储器单元，其中氧化物、硅酸盐、铝酸盐及五倍子酸盐中的所述至少一者是化学计量的。

15.根据权利要求13所述的存储器单元，其中氧化物、硅酸盐、铝酸盐及五倍子酸盐中的所述至少一者是非化学计量的。

16.根据权利要求13所述的存储器单元，其中氧化物、硅酸盐、铝酸盐及五倍子酸盐中的所述至少一者包含铪、锆、钽、铌及钛中的两者或多于两者的混合物。

17.根据权利要求10所述的存储器单元，其中所述第二材料不含氮化硅。

18.根据权利要求1所述的存储器单元，其中所述第三材料的所述BG与所述chi的所述和是至少5.0eV。

19.根据权利要求18所述的存储器单元，其中所述第三材料的所述BG与所述chi的所述和是从7.0eV到8.5eV。